英文版

派恩杰半导体

派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M171K0T3

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性，1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源，派恩杰对此SiC MOSFET进行优化，可以使用0V电压关断，多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。

快速询价

恭喜您，提交成功，请耐心等待我们联系您。

返回

  • 产品数量

首页 > 原厂专区 > 派恩杰半导体（杭州）有限公司 > 产品详情

商家资质:

派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是全国领先的第三代半导体功率器件供应商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。

产品介绍&应用领域

产品详情

描述

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性，1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源，派恩杰对此SiC MOSFET进行优化，可以使用0V电压关断，多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。

特征
  • 符合AECQ-101
  • 超小型Qgd
  • 卓越的栅氧层可靠性
  • 优异的高温特性
  • 0V关断
  • 100%UIS测试
应用领域
  • 光伏逆变器系统
  • 储能系统
  • 电机驱动
  • 新能源车用OBC

产品规格

品牌库存产品推荐

型号
图片
批号
封装
数量
仓库
描述
规格书
供应商
询价
型号：派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M171K0T3
对比
产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M171K0T3
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作，派恩杰平面型...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件SiC MODULE-PAAC12400CM
对比
产品-派恩杰功率元件SiC MODULE-PAAC12400CM
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2
对比
产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M12080K3
对比
产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M12080K3
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
对比
产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
对比
产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAIA1250AM
对比
产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAIA1250AM
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3
对比
产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4
对比
产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：
型号：派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4
对比
产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4
批号：--
封装：--
数量：--
仓库：--
描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小...
规格书：--
供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
询价：

登录

注册

登录
{{codeText}}
登录
{{codeText}}
提交

返回登录

关 闭
订阅
对比栏
对比 清空对比栏