派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。
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派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是全国领先的第三代半导体功率器件供应商,国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一,参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。

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碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。

特征
  • 符合AECQ-101
  • 超小型Qgd
  • 卓越的栅氧层可靠性
  • 优异的高温特性
  • +15/-3V驱动
  • 100%UIS测试
优势
  • 优异的性能
  • 适合硬开关
  • 减小系统体积
  • 提升整体效率
  • 车规级器件
  • 适合双向拓扑
  • 减小散热器尺寸
  • 降低系统成本
应用领域
  • 充电桩
  • 新能源车用OBC
  • 11/20kw 双向OBC架构z
  • 60kw 双向OBC架构
  • 车用辅助电源

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产品-派恩杰功率元件SiC MODULE-PAAC12400CM
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M12080K3
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小...
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
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产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAIA1250AM
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小...
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产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4
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