派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。该产品优异的性能；适合硬开关；减小系统体积；提升整体效率；车规级器件；适合双向拓扑；减小散热器尺寸；降低系统成本。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作，派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。    

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。该产品具有优异的性能；适合硬开关；能够减小系统体积；提升整体效率；车规级器件；适合双向拓扑；减小散热器尺寸；降低系统成本。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性，1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源，派恩杰对此SiC MOSFET进行优化，可以使用0V电压关断，多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。  

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具有优异的性能；能够减小系统体积；提升整体效率；减小散热面积；车规级器件；降低系统成本；降低电磁干扰。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。该产品具有优异的性能；适合硬开关；减小系统体积；提升整体效率；车规级器件；适合双向拓扑；减小散热器尺寸；降低系统成本。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。该产品具有优异的性能；适合硬开关；减小系统体积；能够提升整体效率；拥有车规级器件；适合双向拓扑；减小散热器尺寸；降低系统成本。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具有优异的性能；能够减小系统体积；提升整体效率；减小散热面积；车规级器件；降低系统成本；降低电磁干扰。

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。