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派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。该产品具有优异的性能;适合硬开关;减小系统体积;能够提升整体效率;拥有车规级器件;适合双向拓扑;减小散热器尺寸;降低系统成本。

紫光展锐(上海)科技有限公司

派恩杰半导体
派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是全国领先的第三代半导体功率器件供应商,国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一,参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。

紫光展锐是全球的平台型芯片设计企业,全面掌握2G/3G/4G/5G、Wi-Fi、蓝牙、电视调频、卫星通信等全场景通信技术的企业之一。在5G领域,紫光展锐是全球3家5G芯,了解更多>>

派恩杰半导体
派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是全国领先的第三代半导体功率器件供应商,国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一,参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。

产品特性

  • 符合AECQ-101
  • 超小型Qgd
  • 卓越的栅氧层可靠性
  • 优异的高温特性
  • +15/-3V驱动
  • 100%UIS测试

应用领域

  • 充电桩
  • 新能源车用DC/DC
  • 60kw 双向OBC架构
派恩杰半导体有限公司
碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。
碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。该产品具有优异的性能;适合硬开关;减小系统体积;提升整体效率;车规级器件;适合双向拓扑;减小散热器尺寸;降低系统成本。
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碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流,大大提升了系统效率,特别适合在高压高频条件下工作,派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。    
碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流,大大提升了系统效率,特别适合在高压高频条件下工作,派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。  
碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具有优异的性能;能够减小系统体积;提升整体效率;减小散热面积;车规级器件;降低系统成本;降低电磁干扰。
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碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。该产品具有优异的性能;适合硬开关;能够减小系统体积;提升整体效率;车规级器件;适合双向拓扑;减小散热器尺寸;降低系统成本。
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碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而提高开关速度,减小开关损耗,提高效率。该产品具有优异的性能;适合硬开关;减小系统体积;能够提升整体效率;拥有车规级器件;适合双向拓扑;减小散热器尺寸;降低系统成本。
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碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具有优异的性能;能够减小系统体积;提升整体效率;减小散热面积;车规级器件;降低系统成本;降低电磁干扰。
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碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流,大大提升了系统效率,特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题,碳化硅二极管成本相对较低,已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。
碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作,派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性,1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源,派恩杰对此SiC MOSFET进行优化,可以使用0V电压关断,多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET,提供更高性价比。  

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