泰格微电子放大器芯片级产品

泰格微电子的RF、微波和毫米波产品组合具有DC至100GHz的频率范围，提供涵盖整个信号链的各功能器件。微波芯片采用的工艺主要有GaAs、SiGe BiCMOS、CMOS和SOI。传统采用的是GaAs，其优点是RF性能好、击穿电压高，但缺点是成本高、无法集成数字电路。目前，业界越来越多的公司都看重SiGe BiCMOS、CMOS和SOI的发展，并不断加大研发投入，这3种硅基工艺在成本、易于集成方面具有先天优势，但在击穿电压方面还有挑战。泰格微电子有两条主要产品线：一是通用的微波毫米波元器件，如开关、衰减器、混频器、放大器、移相器以及频率源等等，主要采用GaAs、GaN、SiGe和SOI实现；另外一条是定制化产品线，为客户量身定制比较复杂的、系统级产品。公司现有放大器芯片级产品TGMC181型放大单片。该芯片的工作频段为12GHz～30GHz，相对带宽达85%，属于宽带放大器，其主要功能为实现信号的放大，可作为混频器的本振驱动，该芯片采用单电源供电，输入输出自带隔直，50Ω匹配。我们有专业而完善的芯片设计团队，可根据客户需求承研各种频段的放大器芯片产品，满足客户的差异化需求。该产品可以放大器芯片产品可以根据客户需求，承研设计开发。

无源芯片产品是一系列高性能的采用GaAs材料制造的单片集成电路。无源芯片产品种类齐全，涵盖微波与毫米波各种功能的芯片，可满足客户的各类需求。另外，无源芯片产品一改无源组件类产品难集成的弊端，具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。可灵活定制设计芯片，满足客户的差异化需求。无源芯片产品广泛应用于通信、雷达、导航、测控等各种电子系统中得到了大量应用；产品频率范围覆盖10MHz~50GHz；工作温度覆盖-55℃~+125℃；产品可以根据客户需求，定制化设计。

S波段收发器是高集成度射频收发芯片，支持多通道收发，频段覆盖整个S波段，带宽支持最高200MHz。采用超外差结构，中频滤波器外置。根据不同的应用需求，提供定制化开发服务。TGMJ003P1芯片集成了双发双收通道及通道本振源，支持FDD和TDD两种工作方式，具备灵活、高性能和低功耗等优势，可应用于3G/4G微和宏基站设备等。该器件的工作频率范围为2GHz至4GHz。

L波段收发器是高集成度射频收发芯片，支持多通道收发，频段覆盖整个L波段，带宽支持最高200MHz。采用超外差结构，中频滤波器外置。根据不同的应用需求，提供定制化开发服务。TGMJ005P1芯片集成了单发双收通道及通道本振源，支持FDD和TDD两种工作方式，具备灵活、高性能和低功耗等优势，可应用于3G/4G微和宏基站设备等。该器件的工作频率范围为0.7GHz至2GHz。