士兰微电子SSR反激控制电路 SDH8635

SFR80F20EPS是一款超快恢复二极管器件，采用了先进的硅外延平面工艺制作，在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计，使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级，同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。

SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SD4943内置高压启动以及自供电功能，可满足快速启动以及低待机功耗的要求。具有自适应降频功能，可进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能，能够减小器件的应力，有效防止启动时电感饱和。

SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造，三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。与SJT0281NPN配对的互补PNP管：SJT0302PPN。

SD8524H是一款内置MOS的高性能，快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管，以提高系统效率。可配合原边芯片工作在CCM、DCM、QR多种工作模式。SD8524H采用内置VCC供电技术，集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能，防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8524H采用SOP8贴片封装。

SD4954B是一款兼容IEEE 802.3af标准的PD以及DC/DC控制器。该芯片的PD控制器部分为以太网供电系统（Power over Ethernet, PoE）中的受电设备提供了检测、分级和浪涌限流等功能，其内部集成了耐压100V导通阻抗0.6Ω的功率MOSFET，内置限流保护、欠压保护和过热保护。DC/DC控制器部分内置200V开关MOSFET，采用副边控制（SSR）方式，适用于Flyback拓扑和buck拓扑，提供精确的恒压控制环路，具有较高的系统效率和良好的EMI特性。

SD7528是一款高性能、临界导通模式的功率因素校正（PFC）控制器，内部集成高性能的线性乘法器，能够减少交流输入电流的失真度。SD7528通过内部一个电压模式的误差放大器和一个精确的内部基准电压来控制输出电压，且功耗非常低：启动前最大只有10μA，工作时电流小于5.5mA。SD7528内部集成使能功能，能够控制电路的关断或者打开，内部集成一个有效的两步过压保护模块，能够安全处理发生在启动时或者负载断开时的过压状态。

SU0504A6G/SAG是四通道电压轨钳位型大电流瞬态电压抑制器件，其每个通道都包含有一对ESD放电电流导向二极管，分别将正向和负向的静电放电电流引导到正向钳位电压端和负向钳位电压端。另外，在该器件内部，还集成了一个稳压管。一般在应用时，SU0504A6G/SAG的负向钳位端与被保护电路的地线相接，这样，正向的放电电流通过内置的稳压管流到地线，保护了被保护电路的电源端。SU0504A6G/SAG适合USB2.0以及数据传输线的ESD保护。

SDH8635是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8635内置高压启动恒流源，低待机功耗。有多种控制模式：在重载时，工作在PWM模式；在轻载时，工作在PFM模式，以提高转换效率；在空载时，进入打嗝模式，以降低待机功耗。SDH8635具有抖频功能，以降低EMI。内置峰值电流补偿电路，可以使不同交流电压输入时极限输出功率一致。内置软启动功能可以在上电过程中减小变压器的应力，防止变压器饱和。SDH8635内部集成全面的异常状态保护功能，包括前沿消隐（LEB），逐周期峰值限流，VCC过压保护（OVP），输出过载保护（OLP）和过温保护（OTP）等。SDH8635在全电压范围内支持最高输出功率24W。

SA3845是高性能固定频率电流模式控制器，专为隔离或DC-DC转换器应用而设计，所需外部元件数量极少。内部电路包括欠压锁定电路（启动电流小于0.5mA），修调的精密基准电路作为一端输入的误差放大器，可完成锁存操作的逻辑电路，以及可提供限流控制的PWM比较器，图腾柱输出级设计用于大拉电流或灌电流。输出级在关断状态为低电平，适用于驱动N沟道MOSFETs。