士兰微电子150V非隔离DC-DC转换器 SD4943

SVG105R0NAL5  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

SBD10C200AD是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

SD4954B是一款兼容IEEE 802.3af标准的PD以及DC/DC控制器。该芯片的PD控制器部分为以太网供电系统（Power over Ethernet, PoE）中的受电设备提供了检测、分级和浪涌限流等功能，其内部集成了耐压100V导通阻抗0.6Ω的功率MOSFET，内置限流保护、欠压保护和过热保护。DC/DC控制器部分内置200V开关MOSFET，采用副边控制（SSR）方式，适用于Flyback拓扑和buck拓扑，提供精确的恒压控制环路，具有较高的系统效率和良好的EMI特性。

SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造，三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。与SJT0281NPN配对的互补PNP管：SJT0302PPN。

SA3845是高性能固定频率电流模式控制器，专为隔离或DC-DC转换器应用而设计，所需外部元件数量极少。内部电路包括欠压锁定电路（启动电流小于0.5mA），修调的精密基准电路作为一端输入的误差放大器，可完成锁存操作的逻辑电路，以及可提供限流控制的PWM比较器，图腾柱输出级设计用于大拉电流或灌电流。输出级在关断状态为低电平，适用于驱动N沟道MOSFETs。

SDH8635是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8635内置高压启动恒流源，低待机功耗。有多种控制模式：在重载时，工作在PWM模式；在轻载时，工作在PFM模式，以提高转换效率；在空载时，进入打嗝模式，以降低待机功耗。SDH8635具有抖频功能，以降低EMI。内置峰值电流补偿电路，可以使不同交流电压输入时极限输出功率一致。内置软启动功能可以在上电过程中减小变压器的应力，防止变压器饱和。SDH8635内部集成全面的异常状态保护功能，包括前沿消隐（LEB），逐周期峰值限流，VCC过压保护（OVP），输出过载保护（OLP）和过温保护（OTP）等。SDH8635在全电压范围内支持最高输出功率24W。

SDH8322S 是高压启动，内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器，适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8322S 在轻载条件下降频工作，优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式，从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8322S 内部集成了全面的异常状态保护功能，包括VDD欠压保护，VDD过压保护，前沿消隐，过流保护，过温保护等。SDH8322S 可通过管脚配置输出电压，12V/15V/18V输出电压可选。SOP8贴片封装，在全电压范围支持最大输出200mA电流。该产品拥有有VDD过压/欠压保护；输出短路保护；过载保护；过温保护。

SD4943内置高压启动以及自供电功能，可满足快速启动以及低待机功耗的要求。具有自适应降频功能，可进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能，能够减小器件的应力，有效防止启动时电感饱和。

SD8524H是一款内置MOS的高性能，快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管，以提高系统效率。可配合原边芯片工作在CCM、DCM、QR多种工作模式。SD8524H采用内置VCC供电技术，集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能，防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8524H采用SOP8贴片封装。