士兰微电子电流模式PWM控制器 SDH8322S

SDH8322S 是高压启动，内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器，适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8322S 在轻载条件下降频工作，优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式，从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8322S 内部集成了全面的异常状态保护功能，包括VDD欠压保护，VDD过压保护，前沿消隐，过流保护，过温保护等。SDH8322S 可通过管脚配置输出电压，12V/15V/18V输出电压可选。SOP8贴片封装，在全电压范围支持最大输出200mA电流。该产品拥有有VDD过压/欠压保护；输出短路保护；过载保护；过温保护。

SD7528是一款高性能、临界导通模式的功率因素校正（PFC）控制器，内部集成高性能的线性乘法器，能够减少交流输入电流的失真度。SD7528通过内部一个电压模式的误差放大器和一个精确的内部基准电压来控制输出电压，且功耗非常低：启动前最大只有10μA，工作时电流小于5.5mA。SD7528内部集成使能功能，能够控制电路的关断或者打开，内部集成一个有效的两步过压保护模块，能够安全处理发生在启动时或者负载断开时的过压状态。

SD4954B是一款兼容IEEE 802.3af标准的PD以及DC/DC控制器。该芯片的PD控制器部分为以太网供电系统（Power over Ethernet, PoE）中的受电设备提供了检测、分级和浪涌限流等功能，其内部集成了耐压100V导通阻抗0.6Ω的功率MOSFET，内置限流保护、欠压保护和过热保护。DC/DC控制器部分内置200V开关MOSFET，采用副边控制（SSR）方式，适用于Flyback拓扑和buck拓扑，提供精确的恒压控制环路，具有较高的系统效率和良好的EMI特性。

SDH8635是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8635内置高压启动恒流源，低待机功耗。有多种控制模式：在重载时，工作在PWM模式；在轻载时，工作在PFM模式，以提高转换效率；在空载时，进入打嗝模式，以降低待机功耗。SDH8635具有抖频功能，以降低EMI。内置峰值电流补偿电路，可以使不同交流电压输入时极限输出功率一致。内置软启动功能可以在上电过程中减小变压器的应力，防止变压器饱和。SDH8635内部集成全面的异常状态保护功能，包括前沿消隐（LEB），逐周期峰值限流，VCC过压保护（OVP），输出过载保护（OLP）和过温保护（OTP）等。SDH8635在全电压范围内支持最高输出功率24W。

SVG105R0NAL5  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

SD8524H是一款内置MOS的高性能，快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管，以提高系统效率。可配合原边芯片工作在CCM、DCM、QR多种工作模式。SD8524H采用内置VCC供电技术，集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能，防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8524H采用SOP8贴片封装。

SA3845是高性能固定频率电流模式控制器，专为隔离或DC-DC转换器应用而设计，所需外部元件数量极少。内部电路包括欠压锁定电路（启动电流小于0.5mA），修调的精密基准电路作为一端输入的误差放大器，可完成锁存操作的逻辑电路，以及可提供限流控制的PWM比较器，图腾柱输出级设计用于大拉电流或灌电流。输出级在关断状态为低电平，适用于驱动N沟道MOSFETs。

SFR80F20EPS是一款超快恢复二极管器件，采用了先进的硅外延平面工艺制作，在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计，使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级，同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。

SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

SD4943内置高压启动以及自供电功能，可满足快速启动以及低待机功耗的要求。具有自适应降频功能，可进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能，能够减小器件的应力，有效防止启动时电感饱和。