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士兰微电子快速关断同步整流控制器 SD8524H

SD8524H是一款内置MOS的高性能,快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管,以提高系统效率。可配合原边芯片工作在CCM、DCM、QR多种工作模式。SD8524H采用内置VCC供电技术,集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能,防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8524H采用SOP8贴片封装。

紫光展锐(上海)科技有限公司

士兰微电子
杭州士兰微电子股份有限公司坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。

紫光展锐是全球的平台型芯片设计企业,全面掌握2G/3G/4G/5G、Wi-Fi、蓝牙、电视调频、卫星通信等全场景通信技术的企业之一。在5G领域,紫光展锐是全球3家5G芯,了解更多>>

士兰微电子
杭州士兰微电子股份有限公司坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。

产品特性

  • 内置100V,15mΩ高性能MOS
  • 兼容高侧端和低侧端同步整流应用
  • 兼容DCM,CCM,QR多种应用模式
  • 斜率检测功能,防止在谐振阶段的误导通
  • 内置高压端VCC供电和输出端VCC供电技术
  • 250μA低待机电流
  • SOP8封装

应用领域

  • AC-DC开关电源
  • 充电器
  • 适配器
士兰微电子
SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
SDH8322S 是高压启动,内置高压MOSFET的电流模式PWM+PFM控制器,适用于Buck及Buck-Boost拓扑。SDH8322S 在轻载条件下降频工作,优化轻载条件下的转换效率。在极轻载及空载条件下工作于打嗝模式,从而有效地降低系统的待机功耗。SDH8322S 内部集成了全面的异常状态保护功能,包括VDD欠压保护,VDD过压保护,前沿消隐,过流保护,过温保护等。SDH8322S 可通过管脚配置输出电压,12V/15V/18V输出电压可选。SOP8贴片封装,在全电压范围支持最大输出200mA电流。该产品拥有有VDD过压/欠压保护;输出短路保护;过载保护;过温保护。
SD4954B是一款兼容IEEE 802.3af标准的PD以及DC/DC控制器。该芯片的PD控制器部分为以太网供电系统(Power over Ethernet, PoE)中的受电设备提供了检测、分级和浪涌限流等功能,其内部集成了耐压100V导通阻抗0.6Ω的功率MOSFET,内置限流保护、欠压保护和过热保护。DC/DC控制器部分内置200V开关MOSFET,采用副边控制(SSR)方式,适用于Flyback拓扑和buck拓扑,提供精确的恒压控制环路,具有较高的系统效率和良好的EMI特性。
SU0504A6G/SAG是四通道电压轨钳位型大电流瞬态电压抑制器件,其每个通道都包含有一对ESD放电电流导向二极管,分别将正向和负向的静电放电电流引导到正向钳位电压端和负向钳位电压端。另外,在该器件内部,还集成了一个稳压管。一般在应用时,SU0504A6G/SAG的负向钳位端与被保护电路的地线相接,这样,正向的放电电流通过内置的稳压管流到地线,保护了被保护电路的电源端。SU0504A6G/SAG适合USB2.0以及数据传输线的ESD保护。
SVG105R0NAL5  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
SBD10C200AD是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
SD4943内置高压启动以及自供电功能,可满足快速启动以及低待机功耗的要求。具有自适应降频功能,可进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能,能够减小器件的应力,有效防止启动时电感饱和。
SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造,三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级,具有线性范围宽、失真度低的特点。SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。与SJT0281NPN配对的互补PNP管:SJT0302PPN。
SFR80F20EPS是一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
SDH8635是用于开关电源的内置高压MOSFET及高压启动恒流源、外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器。SDH8635内置高压启动恒流源,低待机功耗。有多种控制模式:在重载时,工作在PWM模式;在轻载时,工作在PFM模式,以提高转换效率;在空载时,进入打嗝模式,以降低待机功耗。SDH8635具有抖频功能,以降低EMI。内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限输出功率一致。内置软启动功能可以在上电过程中减小变压器的应力,防止变压器饱和。SDH8635内部集成全面的异常状态保护功能,包括前沿消隐(LEB),逐周期峰值限流,VCC过压保护(OVP),输出过载保护(OLP)和过温保护(OTP)等。SDH8635在全电压范围内支持最高输出功率24W。

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