东芯存储器 SPI NAND Flash

东芯的LPDDR系列产品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常适合应用在各种移动设备中。LPDDR系列产品将广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。

东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。

兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到8Gb， 3.3V/1.8V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。在网络通信，智能音箱，安防监控，机顶盒等领域中广泛应用。

可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从64Mb到1Gb，电压为1.8V，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。产品专注在中小容量，可广泛应用于各种应用场景。

东芯的DDR3（L）产品可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品。在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。