东芯存储器 MCP

东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性。
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东芯半导体股份有限公司成立于2014年,总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司,矢志成为领先的存储芯片设计公司,服务全球客户。

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产品详情

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东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性。

特性
  • 电压:1.8V
  • 温度:-40℃-85℃
  • 容量:1Gb/2Gb/4GbFlash;512Mb/1Gb/2Gb/4Gb LPDDR
  • 封装:FBGA130,FBGA 162
  • 速度:Flash30ns,45ns LPDDR1 200MHz;LPDDR2 400MHz,533MHz
  • 线宽:Flash*8/*16 LPDDR 1 *16;LPDDR2 * 16/*32

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