2024年12月5日，北京——全球领先的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB宣布，在其110nm BCD-on-SOI技术平台上推出了一种创新的嵌入式数据存储解决方案。该方案结合了闪存与EEPROM元件，利用X-FAB的SONOS技术，提供了增强的数据保持能力和同类最佳的运行可靠性。
该方案满足了AECQ100 Grade-0标准，提供32kByte容量的嵌入式闪存IP，并附带4Kbit的EEPROM。X-FAB计划从2025年开始，进一步推出64KByte和128KByte的闪存以及更大容量的EEPROM。
图：X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案
通过巧妙设计，闪存和EEPROM元件被整合到单个宏单元内，共享控制电路，从而简化了布局，减少了总体占用面积，并树立了32KBytes存储解决方案的新行业基准。该方案能够在-40°C至175°C的温度范围内读取数据，EEPROM还能在高达175°C的温度下写入数据，适用于汽车、医疗和工业应用。
该嵌入式闪存具备先进的数据访问能力，EEPROM则提高了闪存的耐用性与灵活性，可以在不适宜写入闪存的工作条件下将数据编程至EEPROM，然后在温度降至125°C以下时再写入闪存。此外，该方案采用64位总线，闪存元件配备8位ECC，EEPROM元件配备14位ECC，实现了零PPM误差性能。
X-FAB NVM开发总监Thomas Ramsch表示：“这款新型NVM IP结合了我们的SONOS技术，提供了最高水准的可靠性。通过整合闪存和EEPROM，我们创建了能够应对严苛工作环境的嵌入式数据存储解决方案。”
X-FAB NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道：“我们的NVM组合IP将在高逻辑密度应用的开发中发挥关键作用，使下一代智能传感器和执行器CPU系统设计具备更广泛的功能范围。”
X-FAB是全球晶圆代工集团，在模拟/混合信号技术、微系统/MEMS和碳化硅（SiC）等领域拥有卓越的专业知识，服务于汽车、工业和医疗等终端市场。如需了解更多信息，请访问X-FAB官方网站。
关于X-FAB：
X-FAB是全球领先的晶圆代工集团，提供全面的专业技术和设计IP，助力客户开发出世界领先的半导体产品。自2017年4月起，X-FAB在巴黎泛欧交易所上市，现有约4,500名员工。如需了解更多信息，请访问www.xfab.com。
