据报道，在半导体行业的聚焦之下，台积电于北美技术研讨会上惊艳亮相，携一系列前沿技术成果震撼业界，尤其是其下一代逻辑制程技术 A14，成为全场焦点，为半导体领域的发展绘制了全新蓝图。
A14 制程技术堪称台积电在半导体征程上的又一座里程碑。它脱胎于行业领先的 N2 制程，却实现了质的飞跃。预计 2028 年投入生产的 A14，当前开发进展顺利，良率表现更是超越预期。相较于即将在今年晚些时候量产的 N2 制程，A14 在性能提升上令人惊叹：相同功耗下，运算速度最高可提升 15%；保持相同速度时，功耗最多能降低 30%，同时逻辑密度增加超过 20%。在晶体管架构方面，台积电凭借在纳米片晶体管设计技术协同优化的深厚经验，将 TSMC NanoFlex™标准单元架构升级为 NanoFlex™ Pro，进一步释放芯片性能潜力，提升能效并赋予设计更大灵活性，为人工智能计算的飞速发展注入强大动力，也让智能手机的板载 AI 能力迎来升级，变得更加智能。
除 A14 外，台积电还展示了多个领域的创新技术，构建起全方位的技术生态。
在高性能计算（HPC）领域，为满足人工智能对海量逻辑运算和高带宽内存（HBM）的迫切需求，台积电持续深耕 Chip on Wafer on Substrate（CoWoS®）技术。2027 年，9.5 光罩尺寸的 CoWoS 将实现量产，届时一个封装内可集成 12 个及以上 HBM 堆栈，与前沿逻辑技术协同工作。2024 年推出的革命性晶圆级系统（TSMC-SoW™）技术后，又推出基于 CoWoS 的 SoW-X，计算能力达到当前 CoWoS 解决方案的 40 倍，同样计划于 2027 年量产。此外，台积电还提供硅光子集成技术（COUPE™）、适用于 HBM4 的 N12 和 N3 逻辑基础芯片、新型集成电压调节器（IVR）等，从多维度提升计算性能与效率。
图：台积电北美技术研讨会：前沿科技领航半导体未来
智能手机领域，随着边缘设备 AI 应用的爆发式增长，对高速、低延迟无线连接以传输海量数据的需求日益迫切。台积电的 N4C RF 射频技术应运而生，作为最新一代射频技术，相比 N6RF+，它能降低 30% 的功耗和面积，为将更多数字内容集成到射频片上系统设计提供可能，完美契合 WiFi8 和富含 AI 的真无线立体声等新兴标准要求，预计 2026 年第一季度进入试产阶段。
汽车行业，先进驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车（AV）对计算能力提出严苛要求，同时不能牺牲汽车级的质量和可靠性。台积电的 N3A 制程正在进行 AEC-Q100 Grade-1 认证的最后阶段，不断优化缺陷率以满足汽车行业百万分之一缺陷率（DPPM）标准，目前已进入汽车应用量产阶段，助力未来软件定义汽车的技术革新。
物联网领域，日常电子产品和电器纷纷融入 AI 功能，在电池功耗受限的情况下承担更多计算任务。台积电此前推出的超低功耗 N6e 制程已投入生产，而 N4e 制程正瞄准未来边缘 AI，继续挖掘能效极限。
本次在加利福尼亚州圣克拉拉举办的台积电北美技术研讨会，作为年度旗舰客户活动，吸引了超过 2500 人注册参会。会上，台积电不仅分享了最新技术动态，还为初创企业设立 “创新区”，展示独特产品并提供向潜在投资者路演的机会。此次研讨会也拉开了未来几个月全球系列技术研讨会的序幕，台积电正以技术为桥梁，连接产业各方，共同驶向半导体的创新未来。
