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台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单

据媒体报道,台积电继独家代工英伟达、超微(AMD)等科技巨头AI芯片之后,市场近日传出协同旗下创意电子取得下世代HBM4关键的基础介面芯片大单。另一方面,SK海力士已宣布与台积电冲刺HBM4及先进封装商机。

据了解,此次SK海力士委托给创意电子的设计案订单,涉及HBM4中至关重要的基础介面芯片。这款芯片是HBM4技术的核心组成部分,对于提升频宽传输速度、满足新一代AI芯片对更高性能的需求具有重要意义。根据订单要求,生产将依据高效能或低功耗的不同需求,分别采用台积电的12纳米及5纳米工艺技术,充分展现了台积电在先进工艺技术方面的领先地位和灵活性。

HBM4技术的最大变革在于除了将DRAM堆叠层数增加至16层外,还需在HBM底部集成逻辑IC以提升频宽传输速度。这一变革使得HBM4在容量和速度上有了显著提升,能够更好地满足当前及未来高性能计算、人工智能等领域对存储技术的需求。创意电子所负责的这颗基础介面芯片,正是实现这一变革的关键所在。台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单

图:台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单

此次合作对于台积电和创意电子来说,都具有深远的意义。对于台积电而言,这不仅是对其技术实力和市场竞争力的肯定,也为其进一步巩固在高端芯片制造领域的领先地位提供了有力支持。同时,通过与SK海力士的合作,台积电将有机会进一步拓展其在HBM4及先进封装技术市场的份额,为公司未来的发展奠定坚实基础。

对于创意电子来说,此次订单的获得将为其下半年的营收带来显著贡献,同时也将帮助公司进一步打入HBM供应链,巩固其在该领域的地位。通过与SK海力士的合作,创意电子将有机会接触到更多先进的技术和市场需求,为其未来的发展提供更多机遇和挑战。

随着AI技术的不断发展,高速运算(HPC)相关芯片和HBM等存储技术的需求正在同步增长。SK海力士、三星、美光等三大存储芯片厂商都在积极投入下一代产品HBM4的研发,目标是在2025年底实现量产,并在2026年放量出货。这一市场趋势为台积电和创意电子的合作提供了广阔的市场空间和发展机遇。


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