近日，台媒《电子时报》（DIGITIMES）报道称，台积电最快在2028年推出的A14P制程中引入High NA EUV光刻技术。这一消息不仅标志着台积电在半导体制造技术上的又一次飞跃，也为整个行业带来了深远的影响。中国出海半导体网将在本文深入分析这一技术变革对台积电及整个半导体行业的意义。
一、台积电的技术路线图
台积电目前正式公布的最先进制程为A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于2026年下半年量产。在A16上，台积电仍将采用传统的Low NA (0.33NA) EUV光刻机。然而，台积电在A16后的下一代工艺A14预计于2026年上半年进入风险试产阶段，最快2027年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是ASML的NXE:3800E Low NA EUV机台。
二、High NA EUV光刻技术的引入
在A14的改进版A14P中，台积电有望正式启用High NA EUV光刻技术，该节点在时间上大致落在2028年。High NA EUV光刻技术以其更高的数值孔径（NA），能够实现更小的特征尺寸和更高的分辨率，这对于制造更先进、更高效的芯片至关重要。
图：台积电A14P制程将引入High NA EUV光刻技术
三、技术细节与竞争对手
High NA EUV光刻技术的提升主要体现在数值孔径的增加。目前ASML的EUV工具的数值孔径为0.33，可实现13.5nm左右的分辨率，而下一代High NA EUV系统的数值孔径已经提升到了0.55，分辨率也由13.5nm提升到了8nm。这不仅能够实现更小的金属间距，还能够提高生产效率，每小时可光刻超过185个晶圆。
台积电的先进代工竞争对手中，英特尔明确将在Intel A14节点使用High NA光刻；三星电子虽早已向ASML下单High NA EUV光刻机但未明确何时启用；Rapidus的High NA节点至少也要等到2nm后。
四、对中国本土半导体公司的影响
1. 技术引进与合作：随着台积电引入High NA EUV光刻技术，中国本土半导体公司可以考虑与台积电或其他拥有该技术的公司进行合作，引进先进的制造技术，提升自身的竞争力。
2. 市场需求变化：High NA EUV光刻技术的应用将推动更高性能芯片的市场需求，中国本土半导体公司需要关注这一变化，调整产品策略，满足市场对高性能芯片的需求。
3. 成本与效益分析：虽然High NA EUV光刻技术具有显著的技术优势，但其高昂的成本也是不可忽视的因素。中国本土半导体公司在考虑引进该技术时，需要进行详细的成本效益分析，确保投资回报合理。
五、总结
综上所述，台积电引入High NA EUV光刻技术是半导体制造技术发展的重要里程碑。这一技术的引入不仅将提升台积电自身的制造能力，也将推动整个行业的技术进步。对于中国半导体公司而言，这是一个机遇与挑战并存的时刻。通过积极引进和应用先进技术，中国半导体公司可以在国际市场上占据更有利的竞争地位。
台积电在2028年引入High NA EUV光刻技术，预示着半导体制造技术将进入一个新的发展阶段。这一技术变革不仅对台积电自身具有重要意义，也将对整个半导体行业产生深远影响。对于中国半导体公司而言，把握这一技术变革的机遇，积极调整战略，将有助于在全球市场中赢得更大的发展空间。随着技术的不断进步和市场的逐步成熟，预计未来几年内，半导体行业将迎来更多的创新和变革。
