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Transphorm推出两款新型SuperGaN器件,具有低导通电阻和高开关速度等优势

2024年1月24日
  • 编辑:Ana Hu
  • 中国出海半导体网

 

近日,氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm宣布推出两款采用4引脚TO-247封装(TO-247-4L)的新型SuperGaN器件,型号分别为TP65H035G4YS和TP65H050G4YS。这两款新型SuperGaN器件的导通电阻分别为35毫欧和50毫欧,配备一个开尔文源极端子,可为高功率服务器、可再生能源以及工业电力转换领域提供更全面的开关功能。

图1:Transphorm推出两款新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS

图1:Transphorm推出两款新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS

 

在高功率服务器领域,随着数据中心对计算能力的需求不断增长,服务器的功率消耗也相应增加。SuperGaN器件的低导通电阻和高开关速度特性使其成为服务器电源的理想选择。它们可以提高电源效率,降低能耗,从而减少数据中心的运营成本。

在可再生能源领域,太阳能和风能发电系统需要高效的电力转换装置将电能从直流转换为交流。SuperGaN器件的高效率和快速开关能力可以提高逆变器的性能,减小系统的体积和重量,从而降低系统成本。

在工业电力转换领域,SuperGaN器件可应用于工业电机驱动、电焊机、UPS等设备中。它们的高效率和耐高温特性使其能够在恶劣的工业环境下稳定工作,提高设备的可靠性和寿命。

Transphorm表示,新推出的氮化镓场效应晶体管不仅可作为原始设计选项,还可直接替代碳化硅(SiC)器件。

其中,TP65H050G4YS FET已经可供货,而TP65H035G4YS FET正处于样品出样阶段,预计将在2024年第一季度正式供货。

一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中,Transphorm的4引脚SuperGaN器件可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4引脚硅基和SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能,从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中,与导通电阻相当的SiC MOSFET相比,35毫欧SuperGaN 4引脚FET器件在50千赫兹(kHz)下,损耗减少了15%,而在100kHz下的损耗则降低了27%。

Transphorm的SuperGaN FET器件所具有的独特优势包括:

  • 业界领先的稳健性:+/-20V栅极阈值和4V抗扰性。
  • 更优的可设计性:减少器件周边所需电路。
  • 更易于驱动:SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驱动器。

新发布的器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性,其核心技术规格如下:

器件型号

Vds (V) 最小值

Rds(on)(mΩ) 型

Vth (V) 型

Id (25°C) (A) 最大值

封装

TP65H035G4YS

650

35

3.6

46.5

配有源极端子

TP65H050G4YS

650

50

4

35

配有源极端子

 

此次Transphorm推出的两款新型SuperGaN器件,为电力转换领域带来了更高效、更可靠的解决方案。随着GaN技术的不断发展,相信将会有更多的应用领域受益于这项技术。

 

点击以下链接,查阅每款器件的产品资料:

TP65H035G4YS 产品数据表:

https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/

TP65H050G4YS 产品数据表:

https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/