订阅

阅读量:

存储市场未来趋势:涨价、AI推动内存升容、DDR5/HBM需求上涨

2023年11月24日

编辑:Ana Hu

中国出海半导体

 

 

进入2023年第四季度,随着原厂减产效应逐渐奏效,加上部分应用市场需求持续强劲,存储器市场DRAM与NAND Flash价格迎来全面上涨,涨势有望延续至明年第一季度。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%,NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%。展望2024年第一季,预估整体存储器的涨势将延续,其中Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合约价仍会续涨,涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略,以及终端是否有实质买气支撑而定。

经历过“寒冬”的存储器市场正在逐渐释放暖意,除了涨价之外,业界预估以下因素也将持续推动存储器市场转好。

图1:存储器将持续涨价(示意图)

AI推动手机内存升容

据外媒 Wccftech 报道,2024 年流行趋势之一是终端 AI,现内建于多款芯片组,如 Snapdragon 8 Gen 3、天玑 9300 和 Exynos 2400。有AI功能的智能手机需要更多内存,内建AI功能的Android手机内存容量至少将达到20GB RAM。

8GB RAM 虽仍是 Android 智能手机标准,但市场上已经出现比多数笔电或 PC更高内存的手机,虽还没成为标配。业界指出,为了让将来设备 AI 影像功能顺利执行,Android 手机需要至少 12GB RAM,加上 AI 应用及其他功能,手机需要超过20GB RAM才能流畅运作。

考虑到多家 Android 手机商正持续投资 AI,2024 年AI将成为设备重点。因此,业界认为RAM 要求更高后,硬件规格对现代AI设备来说比以往都更重要。

 

DDR5市场需求将明显增长

业界认为,随着DDR5价格向下,原厂良率不断提升,未来DDR5市场需求将明显成长。

DDR5作为高附加值DRAM芯片,正持续受到大厂青睐。今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存,速率高达 7200 MT/s,现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。近期,美光又带来了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存,该系列内存具有高达 8000 MT/s 的速度,适用于服务器和工作站平台。该款芯片同样采用美光的1β 技术,能源效率提高达24%,延迟降低高达16%。此外,美光计划2024年开始推出速度为4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型号,未来将推出 8000 MT/s 的型号。

三星方面,据业内人士透露,三星内部正在考虑扩大DDR5生产线。鉴于DDR5的高价值及其在PC和服务器市场的采用,今年基本上被视为“DDR5的大规模采用年”。

 

HBM供给情况将大幅改善

与DDR5一样,HBM作为高附加值DRAM芯片,今年也受到市场极大关注。AI大势之下,HBM市场需求高涨,而原厂产能供不应求,HBM扩产潮开启。

集邦咨询调查显示,展望2024年,基于各原厂积极扩产的策略,HBM供需比(Sufficiency Ratio)有望获改善,预估将从2023年的-2.4%,转为0.6%。

集邦咨询认为,随着AI热潮带动AI芯片需求,对HBM需求量在2023年与2024年也随之提升,促使原厂也纷纷加大HBM产能,展望2024年,HBM供给情况可望大幅改善。而以规格而言,伴随AI芯片需要更高的效能,HBM主流也将在2024年移转至HBM3与HBM3e。整体而言,在需求位元提高以及HBM3与HBM3e平均销售价格高于前代产品的情形下,2024年HBM营收可望有显著的成长。

 

来源:全球半导体观察