进入2023年第四季度，随着原厂减产效应逐渐奏效，加上部分应用市场需求持续强劲，存储器市场DRAM与NAND Flash价格迎来全面上涨，涨势有望延续至明年第一季度。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%，NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%。展望2024年第一季，预估整体存储器的涨势将延续，其中Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍会续涨，涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略，以及终端是否有实质买气支撑而定。
经历过“寒冬”的存储器市场正在逐渐释放暖意，除了涨价之外，业界预估以下因素也将持续推动存储器市场转好。
图1：存储器将持续涨价（示意图）
AI推动手机内存升容
据外媒 Wccftech 报道，2024 年流行趋势之一是终端 AI，现内建于多款芯片组，如 Snapdragon 8 Gen 3、天玑 9300 和 Exynos 2400。有AI功能的智能手机需要更多内存，内建AI功能的Android手机内存容量至少将达到20GB RAM。
8GB RAM 虽仍是 Android 智能手机标准，但市场上已经出现比多数笔电或 PC更高内存的手机，虽还没成为标配。业界指出，为了让将来设备 AI 影像功能顺利执行，Android 手机需要至少 12GB RAM，加上 AI 应用及其他功能，手机需要超过20GB RAM才能流畅运作。
考虑到多家 Android 手机商正持续投资 AI，2024 年AI将成为设备重点。因此，业界认为RAM 要求更高后，硬件规格对现代AI设备来说比以往都更重要。
DDR5市场需求将明显增长
业界认为，随着DDR5价格向下，原厂良率不断提升，未来DDR5市场需求将明显成长。
DDR5作为高附加值DRAM芯片，正持续受到大厂青睐。今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达 7200 MT/s，现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。近期，美光又带来了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，该系列内存具有高达 8000 MT/s 的速度，适用于服务器和工作站平台。该款芯片同样采用美光的1β 技术，能源效率提高达24%，延迟降低高达16%。此外，美光计划2024年开始推出速度为4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型号，未来将推出 8000 MT/s 的型号。
三星方面，据业内人士透露，三星内部正在考虑扩大DDR5生产线。鉴于DDR5的高价值及其在PC和服务器市场的采用，今年基本上被视为“DDR5的大规模采用年”。
HBM供给情况将大幅改善
与DDR5一样，HBM作为高附加值DRAM芯片，今年也受到市场极大关注。AI大势之下，HBM市场需求高涨，而原厂产能供不应求，HBM扩产潮开启。
集邦咨询调查显示，展望2024年，基于各原厂积极扩产的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望获改善，预估将从2023年的-2.4%，转为0.6%。
集邦咨询认为，随着AI热潮带动AI芯片需求，对HBM需求量在2023年与2024年也随之提升，促使原厂也纷纷加大HBM产能，展望2024年，HBM供给情况可望大幅改善。而以规格而言，伴随AI芯片需要更高的效能，HBM主流也将在2024年移转至HBM3与HBM3e。整体而言，在需求位元提高以及HBM3与HBM3e平均销售价格高于前代产品的情形下，2024年HBM营收可望有显著的成长。
来源：全球半导体观察
