STMicroelectronics最近推出了其第四代STPOWER硅碳化物（SiC）MOSFET技术，专为下一代电动汽车（EV）牵引逆变器量身定制。这项新技术在能效、功率密度和鲁棒性方面树立了新的标杆，同时满足汽车和工业市场的需求，尤其针对牵引逆变器进行了优化。
第四代SiC MOSFET技术相较于前一代产品，在导通电阻（RDS(on)）上显著降低，从而最小化了传导损耗并提高了系统的整体效率。此外，这款SiC MOSFET在功率、功率密度和耐用性方面树立了新标准。它们还提供了更快的开关速度，这对于高频应用至关重要，并且能够实现更紧凑、更高效的功率转换器。
STMicroelectronics计划通过2027年推出更多先进的SiC技术创新，以进一步推动SiC MOSFET技术的发展。公司正在开发第五代SiC功率设备，该设备将采用基于平面结构的创新高功率密度技术，并同时开发一种突破性创新，承诺在高温下提供出色的导通电阻RDS(on)值，与现有SiC技术相比，进一步降低了RDS(on)。
作为 SiC 功率 MOSFET 领域的全球领导者，意法半导体不断推进创新，充分利用 SiC 相对于硅器件的卓越效率和增强功率密度。当前一代 SiC 器件旨在增强未来电动汽车牵引逆变器平台，包括尺寸和能效的改进。尽管电动汽车市场不断扩大，但实现主流应用仍存在障碍，这促使制造商专注于生产更经济的电动汽车。
图：意法半导体推出定制款SiC功率MOSFET（图源：PSW）
采用碳化硅的 800V 电动汽车公交车驱动系统促进了快速充电和减轻了车辆重量，使制造商能够打造具有更长续航里程的升级版电动汽车。意法半导体最新的 SiC MOSFET 器件有 750V 和 1200V 两种级别，将提高 400V 和 800V 电动汽车公交车牵引逆变器的能效和性能，将 SiC 的优势扩展到中型和紧凑型电动汽车——这是促进大众市场采用的关键领域。最新一代 SiC 技术适用于众多高功率工业应用，例如太阳能逆变器、储能系统和数据中心，可显著提高这些不断扩展的用途的能效。
STMicroelectronics的第四代SiC MOSFET技术不仅适用于EV牵引逆变器，还适用于使用高功率工业电机驱动等多种应用，包括太阳能逆变器、能源存储解决方案和数据中心，显著提高了这些应用的能效。
此外，STMicroelectronics已经在汽车领域供应了超过五百万颗STPOWER SiC设备，包括牵引逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、EV充电站和电子压缩机等多种EV应用，显著提高了新能源汽车的性能、效率和续航里程。
随着电动汽车市场的持续增长，STMicroelectronics的新一代SiC技术有望帮助汽车制造商生产出更经济、更高效的电动汽车，推动电动汽车的广泛采用。
据悉，ST 已完成其第四代 SiC 技术平台 750V 级的认证，并预计在 2025 年第一季度完成 1200V 级的认证。标称电压为 750V 和 1200V 的器件将很快投入商业使用，使设计人员能够满足从传统交流线电压到高压电动汽车电池和充电器等各种应用的需求。第五代 ST SiC 功率器件将采用一种采用平面结构的新型高功率密度技术。ST 同时正在推进一项突破性技术，该技术可保证在高温下具有出色的导通电阻 RDS(on) 值，并且相对于当前的 SiC 技术，RDS(on) 值进一步降低。
