专注于氮化镓（GaN）技术的半导体公司英诺赛科（Innoscience）已签署投资协议，计划在香港证券交易所主板进行首次公开募股（IPO）。根据最新信息，英诺赛科预计将在2024年12月30日正式上市。这标志着英诺赛科迈出了全球扩展的重要一步，进一步推动氮化镓半导体技术在电力电子、消费电子及电动汽车等领域的应用。
投资者支持：意法半导体成为基石投资者
尽管英诺赛科和其合作伙伴尚未发布官方声明，但根据IPO文件，英诺赛科已与多个基石投资者达成协议，其中包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏省国有企业混合所有制改革基金、江苏苏州高端装备产业专项母基金及苏州东方创联投资管理有限公司等。意法半导体作为基石投资者，已承诺认购大量的英诺赛科H股。
该协议的签署不仅建立了战略合作关系，还为英诺赛科的全球大规模发行奠定了基础。中国国际金融香港证券有限公司与招银国际融资有限公司担任此次IPO的总协调人和资本市场中介，确保此次上市过程符合中国证监会、香港证券交易所及其他监管部门的规范要求，保障透明度和投资者的利益。
IPO详情：定价区间与发行计划
根据招股书，英诺赛科计划于2024年12月18日至12月23日进行H股IPO认购。IPO的发行价区间为每股30.86港元至33.66港元，计划全球发行约4.5364亿股H股，其中香港公开发行约400万股，国际发行约4500万股，并设有15%的超额配售权。预计此次上市将为公司带来可观的资金，进一步推动其在GaN半导体领域的研发和生产扩张。
图：意法半导体与英诺赛科合作，氮化镓技术迎来黄金发展机遇
氮化镓技术的潜力：推动产业爆发式增长
GaN技术凭借其优于传统半导体材料的性能，正成为电力电子领域的重要突破。GaN不仅具有更大的带隙，还具备低导通电阻、高电子迁移率和低开关频率等优势。这些优势使GaN能够在多个领域广泛应用，特别是在高功率、高效率的场景下，GaN的优势愈加突出。
GaN功率半导体的高频、低损耗和高性价比特点，使其在智能设备快充、车规级充电、数据中心等应用领域迅速崭露头角，并推动了GaN产业的爆发式发展。根据Frost & Sullivan的预测，GaN市场将在2024至2028年间以98.5%的年复合增长率（CAGR）增长，到2028年，GaN功率半导体市场规模将超过68亿美元，占全球功率半导体行业的10.1%。
其中，电动汽车和消费电子是推动GaN技术广泛应用的两大重要力量。预计到2028年，GaN在快速充电器和适配器中的使用将大幅增加，消费电子产品市场将达到29亿美元。而电动汽车市场的渗透率提升，以及单车价值的提高，将推动GaN市场到2028年达到34亿美元，年复合增长率高达216.4%。
全球领先地位：英诺赛科的战略布局
尽管GaN半导体技术的应用潜力巨大，但进入这一领域仍面临技术标准、前期投资和行业壁垒等挑战。全球领先的五大功率半导体公司通常采用IDM（集成设备制造商）模式，负责从设计到制造和测试的全过程。然而，这种模式需要较高的技术门槛和初期投资。
英诺赛科从成立之初便选择了IDM模式，致力于打造集设计、研发、制造和销售于一体的GaN生产基地。该公司目前拥有位于中国苏州和珠海的两个8英寸硅基GaN生产基地，月产能从2023年底的10,000片晶圆提升至2024年6月底的12,500片晶圆，巩固了其作为全球最大GaN器件生产商的地位。
未来展望：资金助力全球扩张
通过此次IPO，英诺赛科将获得所需资金以提高生产能力，加速GaN半导体的研发，并增强其在全球市场的影响力。这一战略联盟不仅有助于其在快速发展的GaN市场中占据有利位置，还将在未来推动其与EPC和英飞凌等企业的竞争。
展望未来，GaN技术在电动汽车、消费电子及其他高功率、高效率领域的应用将进一步扩展。随着英诺赛科在技术研发和生产能力上的持续投资，预计该公司将成为全球GaN半导体产业的重要玩家。
