首页 > 全部资讯 > 行业新闻 > 全球首家!意法半导体建设全集成碳化硅工厂
芯达茂广告F 芯达茂广告F

全球首家!意法半导体建设全集成碳化硅工厂

据报道,意法半导体宣布在意大利卡塔尼亚建造一座最先进的制造工厂,专门用于生产采用200毫米碳化硅(SiC)技术的功率器件和模块,并且还将包括测试和封装设施。

据悉,这些设施正在同一地点建设的SiC衬底制造设施相结合,将组成意法半导体的碳化硅园区,为在同一地点大规模生产SiC提供完全垂直整合的制造设施。从衬底制造到晶圆生产,再到模块封装的全流程垂直整合,这种一体化的生产模式将极大提升生产效率,降低成本,并加强产品质量控制。在“欧洲芯片法案”框架下,意大利政府预计将提供约20亿欧元的资金支持。

随着全球对新能源汽车、光伏、储能等领域需求的不断增长,碳化硅器件以其优异的高温、高频、高效率特性,成为这些领域不可或缺的关键材料。ST的新工厂预计将在2026年开始量产,并在2033年达到满负荷生产,届时每周可生产多达15,000片晶圆,充分满足市场对高性能碳化硅器件的井喷式需求。

图:意法半导体斥资50亿欧元建厂

碳化硅在多个领域都有广泛的应用,如半导体制造、光伏、电动汽车、充电桩等。特别是随着新能源技术的发展,碳化硅在太阳能电池、光电子器件等领域的应用呈现出快速增长的态势。随着电子产品的普及和更新换代,以及新能源技术的不断发展,碳化硅市场需求持续增长,更具预测,到2030年全球碳化硅市场规模将达到32.1242亿美元,预测期内复合年增长率为15.20%。根据Wolfspeed预计,2026年全球碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。

ST不仅在意大利本土进行大规模投资,也积极拓展全球市场。在中国,ST与三安光电成立的合资企业正在重庆建设一座200mm SiC工厂,专门为中国市场服务。这一战略布局将进一步巩固ST在亚洲市场的地位,并支持中国汽车电动化的发展。

ST在碳化硅技术领域一直处于行业领先地位。随着第四代SiC MOSFET技术将于2024年量产,ST将继续在性能和成本方面保持竞争优势。新工厂的建设和投产,将为ST带来更丰沛的产能,满足全球市场对高性能碳化硅器件的不断增长的需求。

意法半导体的下一座工厂计划于2026年开始生产,到 2033 年达到最大生产能力,高峰期每周可生产多达 15,000 片晶圆。ST 在碳化硅 (SiC) 领域的主导地位是 25 年专注研发努力的结果,并得到了大量关键专利的支持。卡塔尼亚历来是 ST 的重要创新中心,拥有最大的 SiC 研发设施和制造活动。这为改进型 SiC 器件的生产带来了显著的进步。


相关新闻推荐

登录

注册

登录
{{codeText}}
登录
{{codeText}}
提交
关 闭
订阅
对比栏
对比 清空对比栏