据报道，摩根士丹利等市场分析机构在最新的报告中指出，由于新增产能有限、人工智能技术的广泛应用以及过去两年资本支出的不足，DRAM芯片市场正面临着巨大的供应缺口，预计明年此产品供应缺口高达23%，为近年来罕见情况。此外，商品存储产品的价格预计在2024年每季度将以两位数的速度上涨。
面对这一市场变化，中国客户已经显示出对存储芯片价格上涨的接受度。据市场数据显示，2024年1月，DDR4 8Gb和4Gb产品的批发价格已经连续第三个月上涨。此外，存储渠道行情整体向上，部分品牌小幅上调了SSD和内存价格。
在这一背景下，一些企业已经开始积极布局。例如，兆易创新已经推出了多款DRAM产品，并预计2024年采购DRAM代工金额将大幅增长。深科技作为国内领先的独立DRAM内存芯片封装测试企业，其在关键技术方面达到了国内领先、世界先进的水平。
近年来，DRAM制造商在新增产能方面的投入相对保守，这限制了整体市场的供应能力。与此同时，随着HBM（高带宽内存）技术的快速发展，其消耗了大量DRAM产能，进一步加剧了供需矛盾。HBM作为一种高性能内存，被广泛应用于人工智能、高性能计算等领域，对DRAM的需求量大幅增长。
图：标准型DRAM供应紧张
人工智能技术的广泛应用也是推动DRAM需求增长的重要因素。随着AI技术的不断发展，对高性能内存的需求日益增长。无论是图像识别、自然语言处理还是自动驾驶等领域，都需要大量的内存来支持复杂的计算任务。这导致DRAM需求迅速增长，而供应却相对滞后。
过去两年的资本支出不足也是导致DRAM供应不足的原因之一。由于半导体行业周期性波动较大，一些厂商在过去几年中减少了对DRAM厂的资本支出，导致新增产能有限。这使得在需求快速增长时，市场无法迅速调整供应以满足需求。
供需失衡的“超级周期”将对DRAM芯片市场产生深远的影响。首先，价格方面，由于供应不足，DRAM价格将持续上涨。这将对计算机、智能手机等产品的制造成本产生影响，进而影响终端产品的售价。其次，市场份额方面，那些具有战略地位的公司如SK海力士和三星等将有望进一步扩大其市场份额。这些公司在技术、产能和市场份额等方面具有明显优势，能够更好地应对市场变化。
从目前市场行情来看，DRAM芯片市场将继续保持高速增长态势。随着5G、物联网、云计算等技术的普及和应用，对内存的需求将进一步增加。同时，随着技术的进步和成本的降低，DRAM芯片的性能将不断提升，应用范围也将更加广泛。因此，对于半导体厂商来说，加大对DRAM芯片的研发和生产投入将是未来发展的重要方向。
