近日，Soitec 宣布将向 GlobalFoundries (GF) 提供 300 毫米 RF-SOI 基板，支持 GF 的先进 RF-SOI 技术平台，包括其最前沿的 9SW RF 解决方案。该举措基于两家公司长期稳定的合作关系，旨在保障 5G、5G-Advanced、Wi-Fi 和其他智能移动设备射频前端 (RFFE) 模块的先进 RF-SOI 工程基板供应。
RF-SOI半导体是一种具有独特结构的硅基半导体工艺材料，其全称是Radio Frequency-Silicon-On-Insulator，即射频绝缘衬底上的硅。这种材料通过引入一层绝缘埋层（通常为SiO2），实现了器件和衬底之间的全介质隔离。RF-SOI具有独特的硅/绝缘层/硅三层结构。这种结构使得RF-SOI器件在性能上表现出色，因为它能够有效地隔离器件和衬底之间的寄生电容和干扰。此外，通过绝缘埋层实现的介质隔离，RF-SOI能够显著提高器件的线性度和降低插入损耗。随着5G技术的普及和物联网的发展，RF-SOI半导体的市场需求不断增长。预计未来几年内，RF-SOI在射频前端芯片市场的占比将继续提升。
GF 的 9SW RF-SOI 平台，结合 Soitec 提供的最新 300 毫米 RF-SOI 衬底，优化了射频性能、功率效率和可扩展性，显著提升了高端智能手机的性能。这一平台为开发更高效、低功耗的开关、低噪声放大器 (LNA) 和逻辑处理单元奠定了基础，极大地提高了用户体验，特别是在高端设备中，确保了出色的连接性能。
图：Soitec 与 GlobalFoundries 合作生产高性能 RF-SOI 半导体
Soitec 最新推出的 300 毫米 RF-SOI 衬底带来了一些重要进展，包括优化硅厚度以降低关断电容、增强氧化层以提升功率效率，并通过 Soitec 尖端的 RFeSI™ 技术系列提供卓越的射频性能。此外，该基板在功耗、体积和效率方面均有显著改进。新平台能有效减少待机和活动功耗，相较于以往的解决方案，体积缩小了 10%，并且通过降低导通电阻和关断电容的品质因数，提升了效率超过 20%。
GlobalFoundries 终端市场高级副总裁 Faisal Saleem 强调：“GF 致力于提供差异化的领先技术，满足包括 5G、物联网、基础设施和汽车应用在内的多种需求。此次与 Soitec 的合作，体现了我们对高性能 RF-SOI 解决方案持续供应的承诺，以应对客户日益增长的需求。”
Soitec 移动通信执行副总裁 Jean-Marc Le Meil 补充道：“Soitec 已建立全球领先的生产能力，能够满足全球对智能手机 5G、Wi-Fi 技术以及未来 AR-VR 和 IoT 设备的 RF-SOI 衬底的需求。我们很高兴与 GlobalFoundries 扩展长期合作关系，共同推动下一代 300 毫米 RF-SOI 技术的创新发展。随着 5G 向 5G-Advanced，甚至最终向 6G 过渡，设备的性能、能效和紧凑性需求将持续提升，我们的技术将继续为此提供支持。”
这次合作不仅推动了射频前端技术的创新，也预示着 5G 和更先进的无线通信标准向前迈进的重要一步。随着技术的不断进步，Soitec 和 GF 的合作将为全球市场提供更强大、更高效的解决方案，支持更广泛的应用场景。
