氮化镓作为一种新型半导体材料，以其卓越的电子迁移率和耐高温特性，被认为是未来功率电子器件的理想选择。与传统的硅基半导体相比，GaN能够提供更高的功率效率和更低的能耗，这使得它在快速充电、LED照明、数据中心、储能系统以及太阳能微型逆变器等多个领域具有广泛的应用前景。
SK Keyfoundry已经确保了650V GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的关键器件特性，并计划在年底前完成开发工作。这一进展标志着公司在GaN功率半导体领域的技术突破，为未来的产品开发和市场推广奠定了坚实的基础。
据市场调研公司OMDIA预测，GaN功率半导体市场将以33%的复合年增长率增长，从2023年的5亿美元增至2032年的64亿美元。这一预测不仅显示了GaN功率半导体市场的广阔空间，也反映了行业对这一技术的高度认可和期待。
图：SK Keyfoundry加速开发GaN功率半导体
SK Keyfoundry预计，基于650V GaN HEMT的产品将为无晶圆厂客户带来显著的开发优势，尤其是在功率效率和成本效益方面。公司计划积极向现有功率半导体工艺客户推广这项技术，并争取新客户，以扩大其市场份额。
SK Keyfoundry的首席执行官Derek D. Lee表示，公司不仅在高压BCD领域具有竞争力，还在积极为下一代功率半导体做准备。除了GaN，公司还计划开发碳化硅（SiC），以进一步扩大其功率半导体产品组合，确立其作为专业功率半导体代工厂的地位。
SK Keyfoundry在GaN功率半导体领域的加速开发，不仅体现了公司对技术创新的不懈追求，也展示了其在全球半导体行业中的领导地位。随着技术的不断成熟和市场的不断扩大，SK Keyfoundry有望在功率半导体领域发挥更大的影响力，为全球客户提供更高效、更可靠的产品和解决方案。
