2025年5月23日，全球领先的存储芯片制造商SK海力士宣布，其基于321层4D NAND闪存技术开发的UFS 4.1存储解决方案正式问世。这一突破性技术不仅将为智能手机带来性能与能效的双重提升，还计划在年内应用于PC固态硬盘（SSD）及数据中心领域，进一步巩固SK海力士在AI存储领域的领先地位。
一、UFS 4.1芯片的性能与优势
SK海力士的321层4D NAND UFS 4.1芯片在多项关键指标上实现了显著突破。数据显示，其最大顺序读取速度高达4.3GB/s，这一表现超越了主流PCIe NVMe Gen 3 SSD（通常最高约3.5GB/s），虽与前代238层产品的顺序读取速度持平，但随机读写性能提升显著——随机读取速度提升15%，随机写入速度提升40%。这意味着搭载该芯片的设备在多任务处理、应用启动和游戏加载等场景下将拥有更流畅的体验。
在能效方面，新一代芯片较前代产品实现了7%的功耗优化，这对于智能手机等移动设备尤为重要，可在保持高性能的同时延长续航时间。此外，芯片厚度从1.00mm缩减至0.85mm，为轻薄型设备的设计提供了更大空间。
容量方面，该芯片支持512GB和1TB两种规格，满足用户对大容量存储的需求。值得一提的是，SK海力士特别强调其针对设备端AI进行了优化，宣称能“确保设备端AI的稳定运行”，为搭载AI功能的智能手机、物联网设备等提供更强的算力支持，助力边缘计算场景的发展。
图：SK海力士发布321层4D NAND技术：UFS 4.1芯片即将登陆多领域（图源：SK Hynix）
二、技术演进与市场布局
SK海力士于2024年11月率先实现321层NAND闪存的大规模量产，此次UFS 4.1芯片的发布是其技术落地的重要里程碑。根据规划，采用该技术的智能手机存储芯片将于2026年第一季度正式上市，预计首批搭载机型将来自主流安卓旗舰品牌。
在PC与数据中心领域，SK海力士计划在年内推出基于321层4D NAND的SSD产品。SK海力士总裁兼首席开发官安玄（Ahn Hyun）表示：“我们正通过构建具有AI技术优势的产品组合，巩固在NAND领域作为全栈AI存储供应商的地位。”这些SSD产品不仅将应用于消费级PC，还将进入数据中心市场，为云计算、大数据分析等场景提供高性能存储解决方案。预计SK海力士自有品牌及金士顿、威刚等合作伙伴将推出相关产品。
三、行业竞争与技术展望
当前，NAND闪存行业正处于向更高层数迭代的关键阶段。SK海力士的321层技术已领先于美光、铠侠等竞争对手，后者目前主要停留在200-300层技术区间。不过，三星已透露正在研发400层NAND技术，行业竞争依然激烈。
分析指出，更高的层数意味着更高的存储密度和更低的单位成本，这对于推动大容量存储普及和AI、大数据等技术的发展至关重要。SK海力士此次将321层技术与UFS 4.1标准结合，不仅延续了其在移动存储领域的优势，还通过布局PC和数据中心市场，进一步扩大了技术护城河。随着AI与边缘计算的快速发展，具备低功耗、高性能和AI优化特性的存储产品将成为未来市场的核心竞争力。
SK海力士321层4D NAND技术的推出，标志着存储行业向更高密度、更低功耗和更强AI兼容性的方向迈出了重要一步。其在智能手机、PC及数据中心的多元化布局，有望在未来两年内重塑存储市场格局，同时为全球数字化转型提供更强大的基础设施支持。
