在全球人工智能技术的飞速发展中，内存芯片制造商SK海力士正以其先进的封装技术，巩固其在AI芯片市场的领导地位。该公司专注于开发下一代高宽带内存（HBM）芯片的封装技术，以满足美国AI芯片巨头英伟达等公司对其高性能DRAM的强烈需求。
高性能DRAM的市场需求
HBM作为一种高性能DRAM，对于AI计算中的关键组件——图形处理单元（GPU）至关重要。SK海力士凭借其创新的第五代HBM3E产品，在市场中占据领先地位。据悉，该公司计划于今年第三季度量产其最新的12层HBM3E产品，这标志着封装技术的一次重大突破。
封装技术的挑战与创新
HBM的生产过程涉及将多个DRAM芯片进行堆叠，这对封装技术提出了散热和翘曲等挑战。SK海力士的相关负责人强调了混合键合等下一代封装技术的重要性，这些技术不仅能够实现更高的芯片堆叠，提高性能和容量，还能将产品厚度控制在标准规格范围内。
图：先进封装技术（图源：Yonhap）
领先市场的封装技术
SK海力士在HBM市场的领导地位得益于其关键封装技术的开发。2019年，随着HBM2E的推出，公司引入了大规模回流成型底部填充（MR-MUF）技术。MR-MUF通过在堆叠芯片间注入液体保护材料，有效降低了热量，成为HBM市场的“游戏规则改变者”。
面向未来的技术布局
针对第五代HBM3E，尤其是最新的12层HBM3E，SK海力士开发了更为先进的MR-RUF封装技术，进一步提升了堆叠芯片的散热能力。与前代技术相比，先进的MR-MUF可使芯片堆叠薄40%，同时减少热量和翘曲的产生。
公司计划于明年下半年出货12层HBM4，并为2026年的16层HBM4出货做准备，以满足客户的不同需求。SK海力士的李先生表示：“我们将继续增强现有的先进MR-MUF技术，确保其出色的散热性能，并开发新技术以保持我们在HBM技术方面的领先地位。”
随着人工智能技术的不断进步，SK海力士的封装技术创新将为AI芯片市场带来更高效、更可靠的解决方案，进一步巩固其在全球半导体行业的领先地位。
