在2025年第一季度，得益于高带宽存储器（HBM）市场的迅猛发展，SK海力士在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的份额首次超越老对手三星电子，成为新的行业领跑者。根据全球市场研究机构Omdia发布的数据，这一历史性的转变标志着自1992年以来三星首次失去DRAM市场霸主地位。
据悉，SK海力士的首款HBM产品于2013年推出，采用垂直堆叠架构，将多个 DRAM 芯片堆叠在一起，实现了更高的内存带宽，能支持更快的数据传输速度。在竞争激烈的市场环境中，SK 海力士能够快速响应市场需求，加速产品开发和量产进程。例如，从开发世界最高容量的 12 层 HBM3 到推出下一代 HBM3E 仅用了四个月，2024 年 3 月就开始量产 HBM3E，成为全球首家量产该产品的公司。
从地区来看，在亚洲，SK 海力士作为韩国企业，在本土及周边国家和地区具有一定的地缘优势，与亚洲的众多科技企业合作紧密，市占率较高。例如，中国是全球最大的人工智能市场之一，对 HBM 的需求旺盛，SK 海力士凭借与中国众多科技企业的合作，占据了中国市场的较大份额。在欧美地区，SK 海力士同样占据重要地位。欧美地区有许多全球知名的人工智能研究机构和科技公司，如英伟达等，SK 海力士是英伟达的核心 HBM 供应商，为其提供大量的 HBM 产品，这使得 SK 海力士在欧美市场的市占率也相当可观。
图：SK海力士第一季度在全球DRAM市场首次超越三星
尽管整体DRAM市场受到合约价格下跌及HBM出货量短期回调的影响，第一季度全球销售总额环比下滑9%，降至263.3亿美元，但SK海力士却逆势上扬，将市场占有率从2024年第四季度的36%提升至36.9%。相比之下，三星的市场份额则从38.6%下降至34.4%。销售额方面，SK海力士达到了97.2亿美元，领先三星的91亿美元。
这一突破不仅被市场调查机构Omdia确认，其他研究机构如Counterpoint Research和TrendForce也均在报告中将SK海力士列为2025年第一季度全球DRAM出货量的第一名，市场占有率均在36%左右，进一步印证了其领先地位。
Omdia分析指出，HBM的快速增长正重新塑造全球DRAM市场格局。面对人工智能和高性能计算对内存带宽需求的激增，SK海力士与美光均加大了HBM产品的比重，尤其在新一代HBM3E的量产布局方面积极推进。据预测，SK海力士将在第二季度将12层HBM3E芯片占其HBM总出货的比重提升至50%以上，并有望在下半年突破80%。
随着HBM逐步成为AI时代的核心内存技术，SK海力士借助其在高端内存技术的先发优势，不仅实现对三星的超越，也为后续在AI服务器、数据中心等高增长领域打下了坚实基础。未来DRAM市场竞争将更多聚焦在高性能产品的技术实力与量产能力，SK海力士能否持续领跑，备受业界关注。
