据报道，SK海力士最新的1c DRAM技术良率大幅提升，再次以技术突破抢占先机。
动态随机存取存储器（DRAM）广泛应用于计算机、智能手机等各类电子产品中。而 1c DRAM 技术作为 DRAM 技术发展的重要分支，正逐渐崭露头角。1c DRAM 是 10nm 级第六代 DRAM 技术，“1c” 中的 “c” 代表着 “critical dimension”（关键尺寸），它通过不断缩小芯片的关键尺寸，在有限的空间内集成更多的存储单元，从而提升存储密度、降低生产成本并提高性能。
1c DRAM 作为第六代 10 纳米级工艺制造的 DRAM 芯片技术，在存储密度、性能和功耗等方面优势显著，随着人工智能和大数据的快速发展，数据中心对高性能、大容量存储的需求呈爆发式增长。1c DRAM 技术恰好能满足这些需求，它具有更高的存储密度，可以在相同空间内存储更多数据；数据传输速度更快，能显著提升数据处理效率；能效比也更高，可降低数据中心的能耗成本。
据悉，SK海力士1c DRAM技术相关模块的良率实现大幅提升，最高可达 80%，部分 10nm 第六代 DRAM 良率更是达到 80%-90% ，与 2024 年下半年 60% 的良率相比，如今的提升可谓飞跃式发展。这一成果让这家韩国巨头在 DRAM 市场优势尽显，不仅让 SK 海力士在消费级内存市场更具竞争力，更在 HBM 领域抢占先机，虽然目前公司主要发力点在 HBM 市场。
图：SK 海力士 1c DRAM 技术良率飙升， 或将量产
当下，HBM（高带宽内存）市场竞争日益激烈，各企业都在全力推进 HBM4 内存模块的研发。HBM4 被视作能带来计算能力 “新一轮变革” 的关键技术，备受行业关注。
从行业格局来看，SK 海力士此次突破意义重大，在技术先进性上暂时超越了三星。三星虽也在积极研发 1c DRAM 模块，但进展并不顺利。近期有报道指出，三星正在重新评估其 1c DRAM 模块，试图进一步提高良率。而 SK 海力士已率先开启 HBM4 大规模生产的进程，领先于竞争对手，且二者差距有持续扩大的趋势。
尽管基于 1c 技术的 DDR5 内存产品短期内可能不会进入市场，但在 HBM4，尤其是更高级的 HBM4E 产品中，1c DRAM 技术将得到充分应用。SK 海力士此次在 1c DRAM 技术上的成功，无疑为其在未来存储市场的竞争奠定了坚实基础，也预示着行业格局可能因此发生深刻变化。
1c DRAM 技术的发展促使整个 DRAM 行业不断创新和进步。一方面，它激励其他厂商加大研发投入，以追赶或超越 SK 海力士等领先企业，从而推动整个行业技术水平的提升；另一方面，随着制程技术向更小尺寸发展，1c DRAM 面临更高工艺精度要求、更复杂设计和更严格热管理等挑战，解决这些问题将带动相关技术领域的创新，如光刻技术、材料科学等，为半导体行业的长远发展提供技术支撑 。
