全球高带宽存储器（HBM）的领先生产商SK海力士，计划投资超过20万亿韩元（约合146亿美元），在韩国新建一座先进的半导体制造工厂（晶圆厂）。
在4月24日发表的一份新闻声明中，SK海力士透露，该公司旨在满足市场对高性能存储解决方案的激增需求，并巩固其在该行业的领导地位。新工厂名为M15X，位于韩国忠清北道的清州市，预计将从这个新的生产基地增加下一代动态随机存取存储器（DRAM）和高带宽存储器（HBM）的产能。
SK海力士首席执行官在声明中表示：“M15X将成为一个关键的枢纽，它将作为连接SK海力士当前与未来的桥梁，向全球供应AI存储器。我们坚信，这项投资不仅对公司本身，而且对于推动更广泛国内经济的未来，都将是一个巨大的飞跃。”
随着人工智能时代的到来，SK海力士公司表示，存储器行业已进入中长期增长阶段。除了预计年度增长率将超过60%的HBM（高带宽存储器），SK海力士还预测，随着服务器对大容量DDR5模块产品的需求不断上升，通用DRAM（动态随机存取存储器）的需求也将稳步增长。SK 海力士是 HBM 市场份额的领导者，HBM3 市场份额超过 85%，整体 HBM 市场份额超过 70%。
业内人士表示：“SK海力士正投资以维持其市场份额，特别是在HBM3E和HBM4领域。”
他指出，就性能和能效而言，竞争对手美光和三星目前还没有达到SK海力士的水平。他补充说，尽管三星在HBM领域拥有大量的生产能力，但他们尚未能够生产速度最快的HBM3产品。
图一：SK海力士投资146亿美元建新生产基地
专家在接受采访时表示：“目前大家关注的大问题是，当前人工智能的快速发展是否超越了市场的长期增长潜力。”他继续说：“公众对大型语言模型的热情可能会随着时间的推移而减退。尽管如此，人们对于利用AI处理器提高目前由标准服务器执行的AI任务的效率，仍然有日益增长的兴趣，这些任务包括提供导航、语言翻译、定向广告，甚至基本搜索等。”
自2014年以来，SK海力士已经投资了46万亿韩元（约合334亿美元），用于建设三座新的半导体制造工厂——2014年位于韩国义城的M14工厂，2018年位于韩国清州的M15工厂，以及2021年同样位于义城的M16工厂。该公司最近宣布了在美国的一个针对HBM的先进封装项目。
4月初，该公司表示与台积电(TSMC)签署协议，开发和生产下一代HBM，并通过先进封装技术增强逻辑和HBM的集成。 SK 海力士计划通过合作伙伴关系继续开发 HBM4（即第六代 HBM 系列），计划于 2026 年开始生产。
两家公司的目标是提高安装在 HBM 封装底部的基础芯片的性能。 HBM 的制作方法是将核心 DRAM 芯片堆叠在基础芯片的顶部，并通过硅通孔技术缝合在一起，将 DRAM 堆栈中的多个层垂直连接到核心芯片，作为 HBM 封装的一部分。位于底部的基础芯片连接到控制 HBM 的 GPU。
SK 海力士已使用专有技术制造 HBM3E 代的基础芯片，但计划采用台积电的先进逻辑工艺来生产 HBM4 基础芯片，以便可以将附加功能封装到有限的空间中。这将帮助 SK 海力士定制 HBM，以满足更广泛的性能和能效要求。
