日前，士兰微发布公告，宣布与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并签署了8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议。这一举措标志着士兰微在半导体产业链布局上迈出了重要一步，同时也展现了厦门在集成电路产业发展上的决心与行动。
项目总投资额为120亿元人民币，分两期建设。第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，银行贷款27.9亿元；第二期投资50亿元，计划在第一期的基础上实施，预计两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。这一产能规模将极大地提升士兰微在SiC功率器件领域的市场竞争力。
图：士兰微布局8英寸SiC芯片制造
SiC作为一种新型半导体材料，具有高热导率、高电子迁移率等优异的物理特性，是制造高效率、高功率密度电力电子器件的理想材料。随着新能源汽车、智能电网等行业的快速发展，SiC功率器件市场需求正快速增长。士兰微此次投资建设的8英寸SiC芯片生产线，将专注于生产SiC-MOSFET等高端功率器件，有望填补国内市场空白，满足日益增长的市场需求。
此次合作不仅对士兰微具有重要的战略意义，对厦门集成电路产业的发展同样具有深远影响。通过与厦门半导体投资集团和厦门新翼科技实业有限公司的合作，士兰微将获得资金、政策、区位等多方面的支持，加速项目的实施和产能的释放。同时，项目的落地也将促进厦门市集成电路产业的集聚，推动地方经济的转型升级。
尽管项目前景广阔，但士兰微在实施过程中仍需面对一定的风险与挑战。首先是技术风险，SiC功率器件的研发与制造技术门槛较高，需要持续的技术创新和突破。其次是市场风险，随着市场竞争的加剧，产品价格和毛利率可能会受到压力。此外，项目的建设和运营还需要面对宏观经济波动、政策变化等外部因素的影响。
士兰微此次增资建设8英寸SiC芯片制造项目，是公司在半导体产业链布局上的重要举措，也是响应国家集成电路产业发展规划的实际行动。项目的实施将有助于提升士兰微在高端功率半导体领域的竞争力，同时也将为厦门集成电路产业的发展注入新的活力。未来，随着项目的逐步推进和产能的释放，士兰微有望在SiC功率器件市场占据一席之地，为中国集成电路产业的发展贡献力量。
