在全球能源转型和电力电子技术快速发展的背景下，三安半导体有限公司（以下简称“三安”）在碳化硅（SiC）功率器件领域取得了重大进展。最近，三安宣布将1700V和2000V器件加入其碳化硅产品组合，这一举措不仅扩展了其产品线，也为从可再生能源到电动汽车充电基础设施的应用提供了更高的能效。
一、技术突破与产品亮点
三安的新产品系列包括导通电阻为1000mΩ的1700V SiC MOSFETs、25A和50A型号的1700V碳化硅二极管，以及2000V 40A碳化硅二极管。此外，公司还计划在2025年发布2000V 35mΩ SiC MOSFET。项目经理Leo Liao表示：“通过支持更高的DC电压，这些组件可以在相同的电流水平下增加功率输出，或者在维持系统额定功率的同时大幅降低电流和能量损耗。”
二、应用领域的扩展
1700V SiC MOSFETs和二极管特别适合要求超出传统1200V器件的额外电压裕量的应用。2000V SiC二极管可用于高达1500V DC的高DC链路电压系统，满足工业和电力传输应用的需求。与传统的硅基替代产品相比，新的SiC器件能够在广泛的应用领域提供卓越的效率，包括太阳能串逆变器和功率优化器、电动汽车快速充电站、能量储存系统以及高压电网和能源传输网络。
图：三安1700V/2000V SiC产品组合扩展，效率翻倍（图片来自网络）
三、市场趋势与需求增长
据Yole预测，到2027年全球导电型SiC功率器件市场规模有望达63亿美元，2021-2027年CAGR达34%；2027年新能源汽车导电型SiC功率器件市场规模有望达50亿美元，占比高达79%。SiC器件主要应用在PCU（动力控制单元，如车载DC/DC）和OBC（充电单元），相比于Si器件，SiC器件可减轻PCU设备的重量和体积，降低开关损耗，提高器件的工作温度和系统效率。
四、三安的行业地位与承诺
三安作为JEDEC JC-70宽禁带半导体标准委员会成员，系列产品已通过AEC-Q101标准认证，将协同行业推进标准普及，持续向更高品质迭代。销售和营销副总裁Z.R. Zhang强调：“随着世界向更清洁的能源和更高效的电力系统过渡，对高性能功率半导体的需求持续增长，我们扩大的SiC产品组合表明了我们在这一关键领域推动创新的承诺。”
五、结论与未来展望
三安半导体的1700V和2000V SiC器件的推出，标志着公司在碳化硅技术领域的领先地位。这些器件的高效率和高性能将为全球能源效率的提升做出重要贡献。随着技术的不断成熟和应用的深入，我们有理由相信，三安的产品组合将满足市场对高性能功率半导体的需求，推动能源效率革命，为实现低碳社会生活提供强有力的技术支持。随着全球对清洁能源和电动汽车的需求不断增长，三安的产品组合将发挥更加关键的作用，为全球能源效率的提升贡献中国智慧和力量。
三安半导体简介：
湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电（SH600703）的全资子公司，专注于电力电子领域，提供宽禁带半导体材料、元件和代工服务。公司产品涵盖SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延等，服务于新能源汽车、光伏储能等多个领域。拥有SiC全产业链垂直整合制造服务平台，产能规模和技术全球领先。通过多项国际管理体系认证，SiC MOSFET/SBD产品获得AEC-Q101车规级认证。三安半导体在技术创新上持续投入，拥有大量研发人员和专利，致力于高端LED芯片及第三代半导体技术突破。目前，SiC年产能达25万片（6英寸），二期项目投产后将增至48万片，进一步巩固其在半导体材料领域的领导地位。
