三星半导体微信公众号发布了2024年中国闪存市场峰会的简报，深入介绍了其最新研发成果——CMM-H混合存储CXL模组。这一创新模组的问世标志着三星在存储技术领域的又一次重要突破。该模组将DRAM内存和NAND闪存相结合，并利用了CXL作为高速互联技术，实现了在CPU和外部设备之间更为高效的连接，从而提供了更高的数据吞吐量和更低的传输延迟。
据三星提供的图示显示，CMM-H模组能够通过CXL界面直接在闪存部分和CPU之间进行块I/O传输，同时也可以通过DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。这种灵活的数据传输方式使得该模组能够支持细粒度访问，从而降低了总体拥有成本，同时也成为了一种可能的持久内存选项。
根据三星的路线图显示，他们计划在今年上半年推出一款原型CMM-H产品，该产品配备基于FPGA的CXL 1.1控制器，采用E3.L 2T规格，最大容量达到4TB，最大带宽为8GB/s。展望未来，商用量产的CMM-H模组将采用ASIC成熟控制器，支持CXL 3.0规范，容量最大可达16TB，最大带宽提升至64GB/s，预计将于2026年准备就绪。
图1：三星AI和ML系统的存储解决方案CMM-H
此外，三星还计划在更传统的CXL-D纯内存CXL存储模组方面推出第二代产品。据悉，他们计划在明年一季度推出128GB容量的产品，采用1b nm制程DRAM颗粒，速度达到6400MT/s。随后，他们还将陆续推出512GB和256GB容量的产品，丰富第二代CXL-D模组产品线，以满足不同用户的需求。
图2：三星即将上市的存储方案CMM-D
