三星晶圆代工部门近日透露，预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络（BSPDN）和硅光子技术。
三星电子的1.4nm工艺技术，是基于其在全环绕栅极（GAA）技术领域的深入研究和成功应用。相较于传统的FinFET晶体管，GAA晶体管提供了更优的电流控制能力，这将使得1.4nm工艺在性能和能效上实现显著提升。三星已经在3nm工艺中成功应用了GAA技术，并计划在2nm工艺中进一步增强，为1.4nm工艺的推出奠定了坚实的基础。三星的1.4nm工艺将采用更先进的纳米片技术，通过增加纳米片的数量来优化晶体管的性能。这一设计能够显著提升驱动电流，提高芯片的性能，同时更好地控制电流，降低功耗。这意味着，采用1.4nm工艺制造的芯片将拥有更高的能效比和更出色的性能表现。
为了实现这一工艺，三星计划在2025年采用ASML High NA EUV光刻机进行生产。这一设备是目前最先进的光刻机之一，能够精确地在硅片上刻蚀出纳米级别的电路结构。通过引入这一设备，三星将确保1.4nm工艺的顺利实现，并为其未来的芯片生产提供有力保障。
图：三星将于2027年推出1.4nm工艺、硅光子技术（图源：三星）
除了1.4nm工艺，三星还计划在2027年推出硅光子技术。硅光子技术是一种利用硅材料实现光子传输的技术，它通过光纤在芯片上传输数据，相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。这一技术具有高速率、高集成度、低成本、低功耗和小型化等特点，正逐步成为半导体技术领域的新热点。
三星的硅光子技术将结合其在半导体制造和光学领域的优势，打造出具有更高性能和更低功耗的芯片产品。这将有助于推动云计算、大数据、人工智能等领域的发展，满足不断增长的数据传输需求。
值得注意的是，三星在硅光子技术领域的布局并非空穴来风。此前，三星已经投资了硅光子技术公司Celestial AI，显示出其在该领域的决心和投入。通过投资和技术合作，三星将加速硅光子技术的研发和应用，进一步巩固其在半导体技术领域的领先地位。
