近日，三星发布了其首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000 ，并采用了FOPLP封装。
Exynos W1000采用了三星最先进的3nm GAA（Gate-All-Around）制程工艺，这一技术的突破意味着芯片在保持极小体积的同时，能够承载更高的集成度和更强的性能。相比之前的工艺节点，3nm GAA技术带来了显著的能效比提升，为可穿戴设备带来了更长的续航时间和更快的运行速度。
在性能上，Exynos W1000实现了质的飞跃。它搭载了全新的CPU架构，包括一个高性能的Cortex-A78核心和四个高效的Cortex-A55核心，使得这款芯片在处理复杂任务时游刃有余。据三星官方介绍，与前代产品相比，Exynos W1000在单核和多核基准测试中的性能分别提升了340%和370%，这意味着用户将能够以前所未有的速度启动应用程序，并在多个任务之间无缝切换，享受流畅无阻的操作体验。
除了强大的性能外，Exynos W1000在显示方面也有出色表现。它配备了Arm Mali-G68 MP2 GPU，能够支持qHD（960x540）和最高640x640分辨率的屏幕显示，为用户带来细腻清晰的视觉体验。同时，芯片内置的2.5D常亮显示（AOD）引擎更是让智能手表的表盘设计更加丰富多彩，让每一次抬手都成为一场视觉盛宴。
图：三星发布首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000（图源：C114通信网）
在连接性方面，Exynos W1000同样表现出色。它集成了三星的LTE Cat.4调制解调器，支持最大下行速率150Mbps和最大上行速率75Mbps的网络连接，让用户无论身处何地都能保持稳定的网络连接。此外，芯片还支持GPS、GLONASS、北斗、伽利略等多种全球导航卫星系统（GNSS），以及蓝牙LE音频、Wi-Fi b/g/n、NFC等多种连接方式，让智能穿戴设备在数据传输、位置定位和无线通信等方面更加便捷高效。
为了实现更小的尺寸和更好的散热效果，Exynos W1000采用了扇出式面板级封装（FOPLP）技术。这种先进的封装技术不仅提高了芯片的集成度和可靠性，还使得整个芯片模块更加紧凑轻薄。同时，芯片还使用了系统级封装（SiP）方法将电源管理IC（PMIC）集成在SIP-ePoP封装中，并通过嵌入式封装（ePoP）安装DRAM和NAND闪存，进一步提升了整个系统的性能和稳定性。
三星表示，Exynos W1000预计将首发搭载于即将推出的Galaxy Watch 7智能手表，这不仅将为用户带来卓越的性能体验，也将重新定义智能手表的性能及充电频率的期望。
随着Exynos W1000的发布，三星在可穿戴设备领域的竞争力得到进一步增强，同时也为整个行业树立了新的性能标杆。这款芯片的推出，无疑将推动可穿戴设备市场向更高性能、更优体验的方向发展。
