根据媒体报道，三星计划在6月余美国召开2024晶圆代工论坛上正式公布其1nm制程工艺计划。预计2026年实现1nm芯片的量产，比原计划提前一年。
1nm芯片量产计划的提前，标志着半导体技术正迈向一个新的里程碑。然而，这一技术巅峰的实现并非易事，需要克服众多技术难题。首先，随着晶体管尺寸逐渐逼近硅原子的物理尺寸极限，量子效应和热力学问题将变得愈发突出，给芯片设计和制造带来前所未有的挑战。其次，传统的光刻技术在1nm工艺节点上已难以满足需求，需要转向如极紫外线（EUV）这样的新技术，而这些新技术的研发和应用也需要大量的时间和资源投入。
作为全球领先的半导体制造商之一，三星一直在半导体技术领域保持着领先地位。为了实现1nm芯片的量产，三星在技术研发和工艺优化方面做出了大量努力。首先，三星引入了“Gate-All-Around（GAA）”电流控制技术，这一技术能显著降低晶体管的漏电流，提升芯片的功率效率。其次，三星在光刻技术方面也取得了显著进展，成功实现了多次曝光和精准定位等关键技术。此外，三星还在新材料、新工艺等方面进行了大量研究，为1nm芯片的量产提供了有力支持。
图：三星1nm芯片制程提上日程
三星1nm芯片量产计划的提前，既带来了技术突破和市场机遇，也面临着诸多挑战。从技术角度来看，1nm芯片的量产将推动半导体技术的进一步发展，为智能手机、人工智能、物联网等领域的发展提供更加高效、节能的芯片解决方案。从市场角度来看，三星的1nm芯片将有望打破当前的市场格局，为三星赢得更多的市场份额和竞争优势。
然而，三星在实现1nm芯片量产的过程中也面临着诸多挑战。首先，技术难题需要不断攻克，需要投入大量的研发资源和时间。其次，市场竞争也愈发激烈，三星需要与其他半导体制造商展开激烈竞争，争夺市场份额。此外，随着技术的不断进步，新的技术标准和规范也将不断涌现，三星需要不断适应和更新自身的技术体系。
值得一提的是，台积电方面也在积极布局1nm工艺相关的技术。据悉，台积电计划在2027年达到1.6nm的“A16节点”，并在2027到2028年左右，实现1.4nm工艺的量产。
如果三星计划2026年量产1nm的消息属实，那么或许将在一定程度上影响台积电的工艺发展计划。
