在半导体行业的竞争日益激烈的今天，三星电子与新思科技的合作成为了业界关注的焦点。最近，两家公司宣布，他们已经成功实现了基于3纳米环绕式栅极（GAA）晶体管结构的高性能移动系统级芯片（SoC）的首次量产。这一成就标志着在先进芯片设计和制造领域迈出了重要的一步。
三星电子采用新思科技的Synopsys.ai EDA套件，这一全栈AI驱动的解决方案针对高性能CPU进行了特别优化。在这一合作中，三星电子不仅在节省了数周的手动设计工作时间，还在SoC上实现了300MHz的频率提升和10%的动态功耗降低，这对于移动设备的性能和电池寿命来说是一个巨大的进步。
“我们的长期合作已经交付了领先的SoC设计。这是与新思科技合作在最先进的移动CPU内核和SoC设计上成功实现最高性能、功耗和面积的非凡里程碑。” 三星电子SLSI副总裁表示。“我们不仅证明了人工智能驱动的解决方案可以帮助我们实现即使是最先进的GAA工艺技术的PPA目标，而且通过我们的合作，我们建立了一个超高生产率的设计系统，该系统可以持续提供令人印象深刻的结果。”
图一：三星携手新思科技实现3纳米GAA工艺SoC的首次量产
新思科技的EDA套件为三星的GAA节点提供了卓越的性能、功耗和面积（PPA）参数。GAA晶体管架构相较于传统的FinFET架构，在性能和功耗方面具有明显优势。GAA架构改善了静电特性，提供了更多的优化机会，这为设计提供了更多的自由度，以满足高性能计算、5G、移动和高级人工智能应用的需求。
三星电子的3纳米GAA工艺得益于与新思科技的广泛合作，以及Fusion Design Platform的加速准备。这一先进的工艺技术已经在性能和功耗方面取得了显著的提升，与上一代技术相比，共同客户预计将实现功耗降低约50%，性能提高约30%，面积缩小30%左右。
此外，三星电子和新思科技的合作还包括共同开发广泛的IP组合，以降低汽车、移动、高性能计算（HPC）和多裸晶芯片的设计风险。这一合作加速了新兴领域先进SoC设计的发展，为智能互联世界所需的芯片工艺发展提供了强有力的支持。
三星电子和新思科技的合作是半导体行业创新的一个典范。通过采用先进的技术和工具，两家公司不仅提升了产品的性能和效率，还推动了整个行业向更小尺寸、更高性能和更低功耗的方向发展。随着3纳米GAA工艺SoC的首次量产，将为未来的智能设备和高性能计算带来更多的可能性。
