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三星积极提升3纳米制程,欲抢单台积电

三星真正积极提升其3纳米制程工艺,渴望拿下苹果、英伟达、AMD、高通和联发科等大厂大订单,欲从台积电口中分一杯羹。据称三星自家本身的Exynos 2500可能是首款采用新制程技术的高性能芯片。

 

据悉,目前苹果、英伟达、AMD、高通和联发科等都采用台积电半导体制程生产其最新款的芯片,部分芯片也可能采用三星晶圆代工,但通常不是旗舰产品。随着三星过去几个月良率提升,三星非常希望拿下部分订单,例如3纳米GAA制程。

 

三星提升3纳米GAA制程竞争台积电先进制程大单图1:三星3纳米GAA制程仍在追赶台积电工艺

 

之前有市场消息称,高通Snapdragon 8 Gen 4可能采用双代工厂策略,也就是同时采用台积电的N3E制程技术和三星的SF3E制程技术。不过,最新消息来看,目前高通和联发科都计划采用台积电第二代3纳米制程技术(N3E),制造Snapdragon 3 Gen 8和天玑4的芯片,并没有所谓的双代工计划。

三星在2022年6月底宣布,其位于韩国的华城工业区的工厂开始生产3纳米制程芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,传闻比起台积电3纳米所使用的FinFET技术更为节能。

不过在3纳米领域,三星暂时并未获得大客户的大量订单,反倒是4纳米领域有所收获。

据悉,三星在4纳米制程技术领域逐步解决了良率与其他一系列的问题,使得第三代4纳米制程技术提升了性能、降低了功耗、以及提高了密度,而且良率提升至接近台积电的水平,市场透露已得到了AMD与特斯拉等厂商的认可,获得了新的订单。

目前台积电3纳米制程技术产能已开始拉升,预计2024年末每月产能将达到10万片规模,营收占比也会从现在的5%上升至10%。三星则是计划2024年带来名为SF3(3GAP)的第二代3纳米制程技术,在原有的SF3E基础上做进一步的优化,而三星自家本身的Exynos 2500可能是首款采用新制程技术的高性能芯片。

 

来源:科技新报

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