根据韩煤ETNews报道，三星已经开始量产其第九代V-NAND 1Tb TLC 产品。这一举措不仅标志着三星在3D NAND闪存技术上的又一次飞跃，也为整个行业的发展树立了新的标杆。
“我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。”三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示，“为了满足不断发展的闪存需求，三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破极限。通过最新的V-NAND，三星将在高性能、高密度SSD市场中持续创新，满足未来人工智能时代的需求。”
图一：三星开始量产第九代V-NAND
三星第九代V-NAND采用了先进的通道孔蚀刻技术，这一技术的应用显著提升了生产效率。与上一代产品相比，第九代V-NAND的位密度提高了约50%，这得益于三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度。此外，新技术特性如单元干扰和单元寿命延长等的应用，进一步提高了产品的质量和可靠性。
第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，这一接口的采用使得数据输入/输出速度提高了33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。同时，三星在低功耗设计方面取得了显著进步，第九代V-NAND的功耗降低了10%，降低能耗和碳排放成为客户的需求，这对未来低能耗应用来说是一个重要的进步。
为了巩固其在高性能固态硬盘市场的地位，三星计划扩大对PCle5.0的支持。此外，三星还计划于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND，这将为市场提供更多高性能、低成本的存储解决方案。
三星第九代V-NAND内存的堆叠层数达到了290层，而半导体行业观察机构TechInsights预测，三星的第十代V-NAND闪存有望达到430层。这一预测如果能够实现，将进一步巩固三星在存储密度和生产效率方面行业领先地位。
