近日，有报道称三星电子已决定与晶圆代工领域的领导者台积电携手合作，共同开发下一代无缓冲区的高带宽内存（HBM4）。这一合作在早前的Semicon Taiwan 2024论坛上由台积电高层管理者公布，标志着两大科技巨头在前沿内存技术领域的强强联手。
当前，全球内存市场的三大巨头——SK海力士、三星和美光——正在展开激烈竞争，争夺率先在2025年推出HBM4的市场先机。据韩国《韩国经济日报》报道，三星首次选择与台积电深入合作，推动新一代内存的生产。台积电生态系统与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin在Semicon Taiwan 2024论坛上透露，双方共同开发的HBM4内存将在性能上超越HBM3，能效提升可达40%，而延迟则有望降低10%。
HBM技术相较于传统的单平面DRAM具备显著的优势，能够实现更高的数据处理速度。这是通过硅通孔（TSV）和凸点技术将多个DRAM芯片垂直堆叠连接，从而大幅提升数据带宽。HBM在人工智能等对高性能计算需求日益增加的领域备受青睐。当前，SK海力士、三星和美光均已推出HBM3E DRAM，并计划在2025年前推出更先进的HBM4内存。
图：三星与台积电合作开发HBM4（图源：TSMC）
SK海力士近期宣布将开发性能提升至当前HBM DRAM 30倍的产品，并提供高度定制化的解决方案。三星则希望通过与台积电的合作，结合其自身的内存制造技术与台积电先进的多芯片封装技术，打造具有更高竞争力的HBM4产品。尽管三星和台积电在代工市场上是竞争对手，台积电自身并不生产内存，但其在小芯片封装和多芯片集成方面的技术优势尤其受到AI芯片市场的青睐。因此，两家公司在内存领域的合作变得顺理成章。
《韩国经济日报》援引匿名消息人士称，三星与台积电的合作有望帮助三星提供“定制化芯片和服务”，这些已经成为谷歌和英伟达等主要客户的需求重点。尽管三星具备完整的HBM4服务能力，包括内存制造、代工和先进封装，但通过借助台积电的技术，三星希望进一步吸引更多高端客户。
目前，SK海力士在HBM3市场处于领先地位，全球市场份额达到53%，而三星则占35%。值得一提的是，SK海力士同样依赖台积电的制造技术来推动HBM4的开发与生产。
