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三星和SK海力士斥资622万亿韩元在韩国建芯片中心

2024年1月23日
  • 编辑:Ana Hu
  • 中国出海半导体网

 

消息称,三星电子和内存制造商SK海力士将斥资622万亿韩元(约合4710亿美元)在韩国建立一个新的芯片中心。这一举措也将影响未来全球芯片工厂格局。预计三星将提供该项目约80%的资金,即500万亿韩元,而SK海力士将提供其余部分。两家公司打算将这些资金投资到2047年。

即将建成的芯片中心将建在“横跨平泽到龙仁”的地区,两个城市相距约18.5英里。平泽市已经是价值数十亿美元的三星存储芯片工厂(如图1)的所在地。该工厂拥有世界上最大的半导体生产线,占地约16个足球场大小。

图1:三星和SK海力士将斥资622万亿韩元在韩国建一个新的芯片中心

图1:三星和SK海力士将斥资622万亿韩元在韩国建一个新的芯片中心

 

三星和SK海力士将在计划中的芯片中心建造13座新晶圆厂。报道称,到2030年,该中心每月将能够生产相当于770万片硅晶圆的半导体,即每年9240万片。全球最大的代工芯片制造商台积电在2022年加工了约1500万片晶圆。

SK海力士将斥资122万亿韩元增加龙仁市的内存产能。该公司是仅次于三星的全球第二大内存制造商,生产闪存和DRAM芯片以及相机图像传感器。据报道,三星的投资将优先考虑其代工业务,该业务根据客户提供的设计生产半导体。

分配给新工厂的相当大一部分资金可能会花在制造设备上。EUV系统是一种用于将晶体管蚀刻到硅片上的机器,每片售价高达1.5亿美元。下一代EUV设备的成本预计将是其两倍。

除了三星和SK海力士打算建造的13座晶圆厂外,计划中的芯片园区还将拥有3座研究设施。半导体行业将在未来几年采用几种新的制造技术。研究设施的工作可能有助于简化这些技术在预计将在附近建造的13座晶圆厂的实施。

三星和其他芯片制造商目前推出的新技术之一是晶体管设计,称为环栅(GAA)架构。电子通过称为通道的结构在晶体管的内部组件之间传播。在GAA晶体管中,沟道被栅极包围,栅极是负责控制电子运动的组件。

除了在生产线中实施GAA之外,三星及其竞争对手还计划在未来开发该架构的3D版本。未来的版本将使晶体管彼此垂直堆叠成为可能。人们相信,这项技术可以使处理器上可以放置的晶体管数量增加近一倍,这应该有助于提高性能。

三维GAA晶体管预计将在七到十年内推出。这意味着三星和SK海力士计划在2047年之前建造的一些工厂可能会在其生产线中使用该技术。

竞争的芯片制造商也在大力投资以扩大其制造能力。英特尔正在美国、欧盟和以色列建设一系列新工厂,耗资超过750亿美元。美光科技公司将在20多年的时间内斥资高达1000亿美元在纽约建立新的存储芯片生产工厂。