根据韩国媒体ETNews报道，三星电子和SK海力士已经开始进行高带宽存储器（HBM）晶圆的工艺技术转换，这一转换以防止晶圆翘曲的新技术引入为核心，被认为是针对下一代HBM。预计随着工艺转换，材料和设备供应链也将发生变化。
晶圆解键合是在工艺中将变薄的晶圆从临时载片上分离出来的工作。半导体制造过程中，主晶圆和载体晶圆是通过粘合剂粘在一起的，然后用刀片剥离，因此被称为机械解键合。
随着HBM的层数增加，如12层或16层，晶圆变得更薄，使用刀片分离的方法面临极限。晶圆厚度小于30微米时，担心会损坏晶圆，因此蚀刻、抛光、布线等工艺步骤增加，同时需要使用适应超高温环境的新型粘合剂，这也是两家公司选择使用激光而不是传统机械方式的原因。
技术特点：高效、精准、无损
激光解键合技术以其高效、精准、无损的特点，在半导体制造领域展现出了巨大潜力。该技术利用激光的高能量密度特性，将激光束精确聚焦在晶圆与载体的键合点上，通过局部加热并熔化，实现键合点的非接触式分离。这一过程不仅避免了机械剥离可能带来的物理损伤，还大大提高了生产效率和工艺精度。同时，激光解键合技术还具有环保性，无需使用化学试剂和其他有害物质，对环境友好。
图：三星、海力士探索激光解键合技术（图源：每日经济）
未来发展趋势：广泛应用与技术创新
展望未来，激光解键合技术有望在半导体制造领域得到更广泛的应用。随着HBM技术的不断发展和普及，对晶圆解键合技术的要求也越来越高。激光解键合技术以其独特的优势，将成为超薄晶圆制造过程中的首选技术。此外，随着技术的不断进步和成本的逐渐降低，激光解键合技术还有望在更多领域得到应用，如电子元器件制造、光电子器件制造等高科技领域。
在技术创新方面，激光解键合技术也将不断升级和完善。未来，研究人员将致力于提高激光束的聚焦能力和精确度，以实现更精细的解键合操作。同时，他们还将探索更高效的激光源和更先进的控制系统，以进一步提升激光解键合技术的生产效率和稳定性。此外，随着半导体制造工艺的不断进步，对激光解键合技术的要求也将不断提高，这将促使该技术不断创新和发展。
三星与SK海力士在激光解键合技术上的探索和应用，不仅是对HBM制造工艺的一次重大革新，更是对整个半导体产业的一次重要推动。这一技术的成功应用将有望为全球科技产业带来更加丰富的产品选择和更加卓越的性能表现。未来，随着技术的不断成熟和市场的不断拓展，激光解键合技术将在半导体制造领域发挥更加重要的作用，推动半导体产业向更高层次、更高水平发展。
