在全球半导体产业快速发展的背景下，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，因其卓越的电气特性，正逐渐成为功率半导体领域的明星。近期，两大半导体巨头——罗姆和东芝宣布联手深化碳化硅功率半导体业务合作，这一战略举措预示着碳化硅技术在功率半导体市场中的重要作用和快速发展的前景。
罗姆与东芝的合作，旨在通过双方在技术开发、生产、销售、采购和物流等领域的全面合作，实现半导体业务的协同效应。这一合作计划得到了日本政府的大力支持，预计将极大提升两家公司在全球功率半导体市场的竞争力。
罗姆计划在2027财年之前，对SiC业务整体投资5100亿日元（约237亿元人民币），预计将使SiC功率器件的销售额增长到2700亿日元（约125亿元人民币），是2022财年的9倍。此外，项目总投资为3883亿日元（约180亿元人民币），政府支持占比高达三分之一。
图：两大厂商深化功率半导体业务合作
碳化硅功率半导体以其高温、高功率、高压、高频及抗辐射等优异特性，被认为是功率电子技术领域最有前景的材料之一。随着电动汽车、可再生能源、工业自动化等行业的快速发展，碳化硅功率半导体的应用前景广阔。
罗姆与东芝的合作不仅将加强两家公司在碳化硅领域的技术实力和市场地位，也将对整个产业链产生深远影响。从碳化硅衬底制造、外延生长到功率器件的制造，产业链上下游的企业都有望从这一合作中受益。
罗姆与东芝的联手，标志着碳化硅功率半导体业务合作迈入了一个新的阶段。在全球半导体产业竞争日益激烈的今天，这一合作无疑将为双方带来新的发展机遇，同时也将推动整个碳化硅功率半导体产业的进步与繁荣。随着技术的不断成熟和市场应用的不断扩大，碳化硅功率半导体有望在未来的半导体产业中占据更加重要的地位。
