根据日本功率半导体器件制造商罗姆株式会社表示，配备第四代碳化硅 (SiC) MOSFET 裸芯片的功率模块已被中国浙江吉利控股集团旗下 ZEEKR 电动汽车 (EV) 品牌的三款车型的牵引逆变器采用。自 2023 年以来，这些功率模块已从罗姆与正海集团有限公司的合资公司海摩集成电路（上海）有限公司批量生产并发货给吉利旗下的一级制造商威瑞迪电动汽车科技（宁波）有限公司。
SiC MOSFET的优势
高效率： SiC MOSFET相比传统的硅基MOSFET具有更高的效率，这意味着在相同的功率输出下，SiC MOSFET可以减少能量损耗，提高电动汽车的续航里程。
耐高温： SiC材料能够在更高的温度下稳定工作，这有助于提高电动汽车的可靠性和耐用性
快速开关： SiC MOSFET具有更快的开关速度，这有助于减少开关过程中的能量损耗，并且可以支持更高频率的应用。
小型化：由于SiC MOSFET的高效率和高温性能，可以在不牺牲性能的情况下减小散热系统的大小，从而有助于电动汽车的轻量化和空间优化。
ZEEKR EV的应用
在ZEEKR EV的三款车型中，采用ROHM的第四代SiC MOSFET芯片，可以预期带来以下好处：
提升性能：高效率的SiC MOSFET有助于提升电动汽车的动力性能，包括加速性能和最高速度。
增加续航里程：由于能量损耗的减少，SiC MOSFET有助于提高电动汽车的能源利用效率，从而增加续航里程。
优化充电速度： SiC MOSFET的快速开关特性有助于优化充电过程，可能支持更快的充电速度。
提高可靠性： SiC MOSFET的耐高温特性有助于提高电动汽车在极端环境下的可靠性。
图：吉利ZEEKR EV三款车型采用ROHM第四代SiC MOSFET芯片
行业趋势
随着电动汽车市场的快速发展，对于高性能半导体的需求也在不断增长。SiC MOSFET作为一种先进的半导体技术，正逐渐成为电动汽车动力系统的关键组件。ZEEKR EV采用ROHM的SiC MOSFET芯片，反映了汽车制造商对于提升电动汽车性能和效率的不断追求。
吉利与罗姆自 2018 年开始合作，最初是技术交流，随后于 2021 年建立以 SiC 功率器件为重点的战略合作伙伴关系。这促使罗姆的 SiC MOSFET 集成到三款车型的牵引逆变器中：
ZEEKR X，虽然是一款紧凑型SUV，但最大输出功率超过300kW，续航里程超过400km；
009小型货车，配备智能驾驶舱和140kWh大电池，最大续航里程可达822km；
旗舰车型001，双电机最大输出功率超过400kW，续航里程超过580km，配备四轮独立控制系统。
据称，在每款电动汽车中，以 SiC MOSFET 为中心的 ROHM 电源解决方案在延长续航里程和提高整体性能方面发挥着关键作用。
ROHM计划于2025年推出第五代SiC MOSFET，同时加速向市场推出第六代和第七代器件。
ZEEKR EV的这一举措不仅展示了其在电动汽车技术领域的创新能力，也体现了整个行业对于高效、高性能半导体技术的重视。随着技术的不断进步，我们可以期待未来电动汽车将带来更加卓越的性能和更加环保的出行体验。
