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瑞萨电子完成对Transphorm的收购

据报道,日本瑞萨电子已完成对美国的碳化钾功率半导体全球供应商Transphorm的收购。

据悉,瑞萨电子以3.39亿美元的价格收购了Transphorm,这一交易于2024年1月初步达成协议,并最终在2024年6月20日正式完成。此次收购意味着瑞萨电子将获得Transphorm在氮化镓功率半导体领域的全部技术和知识产权,为其在电动汽车、数据中心、可再生能源等多个领域的发展提供有力支持。

氮化镓(GaN)作为新一代功率半导体的关键材料,与传统的硅基期间相比,具有出色的功率效率、更高的开关频率和更小的占用空间,被广泛应用于电动汽车、变频器、数据中心服务器、人工智能、可再生能源、工业电源转换和消费应用等领域。随着这些领域的快速发展,对氮化镓功率半导体的需求也在持续增长。

通过收购Transphorm,瑞萨电子将获得内部GaN技术,这将使其能够更好地满足市场对宽禁带(WBG)半导体产品的需求。与传统的硅基器件相比,氮化镓和碳化硅(SiC)等WBG材料具有更高的性能优势,被视为下一代功率半导体的关键技术。瑞萨电子将利用Transphorm的技术优势,推出更多高性能、高可靠性的氮化镓功率产品,满足客户日益增长的需求。

图:瑞萨电子完成对Transphorm的收购

此外,收购完成后,瑞萨电子还推出了15款全新成功产品组合,以提供更全面的电源解决方案。这些产品将覆盖更广泛的应用领域,包括电动汽车、数据中心、可再生能源等,为客户提供更加灵活、高效、可靠的电源解决方案。

投资电源业务是瑞萨实现可持续长期增长战略的重要组成部分。此前,瑞萨电子为巩固这一细分市场也采取了其他不同的措施:开设专门生产电源产品的300毫米晶圆厂;增加新的SiC生产线;并与Wolfspeed达成协议,以确保未来10年SiC晶圆的稳定供应。

对于瑞萨电子而言,此次收购不仅加强了其在氮化镓功率半导体领域的地位,也为其在全球半导体市场中的竞争提供了有力支持。随着电动汽车等高增长市场的不断发展,瑞萨电子将凭借其在氮化镓功率半导体领域的技术优势,继续拓展市场份额,实现持续增长


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