瑞萨电子（Renesas Electronics Corporation）今日正式发布业内首款针对第二代 DDR5 多容量排双列直插内存模块（MRDIMMs）的完整内存接口芯片组解决方案。随着人工智能、高性能计算以及数据中心应用对内存带宽需求的快速增长，DDR5 MRDIMMs 技术应运而生。新一代 MRDIMMs 支持高达 12,800 MT/s（Mega Transfers Per Second）的传输速度，与上一代产品相比，内存带宽提升了 35%。这一突破使其成为高性能计算平台的理想选择，能够有效缓解内存带宽瓶颈。
行业领先的完整芯片组解决方案
瑞萨电子凭借多年的技术积累，与 CPU 和内存厂商以及关键终端客户建立了紧密合作关系，在 DDR5 MRDIMMs 的设计、开发和量产过程中发挥了核心作用。本次发布的芯片组包含三款全新关键组件：
第二代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，型号 RRG50120）
RRG50120 作为 MRDIMMs 的核心组件之一，负责对命令/地址（CA）总线、芯片选择信号及主控器与 DRAM 之间的时钟信号进行缓冲和分配。
相较于第一代MRCD，其功耗降低了45%，大幅优化了系统的散热性能，特别适合超高速度和高密度的服务器应用环境。
支持高达 12.8 GB/s 的数据速率，确保高速运行下的信号完整性和稳定性。
第二代多路复用数据缓冲器（MDB，型号 RRG51020）
该组件用于缓冲CPU 到 DRAM 的数据通道，是实现MRDIMMs 高带宽性能的关键器件。
RRG51020 采用先进的信号处理技术，能够大幅降低延迟并优化数据吞吐量，适配未来对更高数据速率的需求。
通过对数据路径的优化设计，该组件实现了在高带宽环境中的高效能传输。
第二代电源管理集成电路（PMIC，型号 RRG53220）
PMIC 是内存模块的电源管理核心，RRG53220 提供业界领先的电气过应力保护（EOS）和高效的电源转换能力。
它支持高电流和低电压运行，优化功耗分布，有助于降低整体能耗并提升系统可靠性。
先进的电压调节技术确保在动态负载变化下的供电稳定性。
图：瑞萨电子发布业内首款第二代 DDR5 MRDIMMs 完整芯片组方案
此外，瑞萨还提供量产中的温度传感器（TS）和串行存在检测集线器（SPD Hub）解决方案，使其成为唯一一家能够为下一代标准化 MRDIMMs 和其他 DIMMs（包括服务器与客户端）提供全套内存接口芯片组的供应商。
推动高性能计算的技术进步
随着 AI 和 HPC 应用对数据处理能力的要求不断提升，内存子系统的性能成为系统整体效率的关键。MRDIMMs 的诞生和升级，是解决内存瓶颈的核心路径，而瑞萨通过三大组件的创新设计，为业界提供了全面的技术支持：
功耗优化与散热控制
RRG50120 MRCD 的功耗大幅降低，使得内存模块能够在极端环境下稳定运行，同时减少散热成本。高带宽与低延迟
RRG51020 MDB 通过改进数据缓冲结构和信号路径，实现了更低的延迟和更高的吞吐量，为下一代数据中心提供了技术保障。高效电源管理
RRG53220 PMIC 的低功耗高性能特性，确保在内存模块的高负载应用中提供稳定可靠的电力支持，延长模块的使用寿命。
市场前景与战略意义
瑞萨电子模拟与连接及嵌入式处理事业部高级副总裁兼总经理 Davin Lee 强调：“面对 AI 和 HPC 驱动的高性能需求，瑞萨一直走在技术创新的前沿。我们与行业伙伴携手开发下一代内存接口技术，通过完整的芯片组解决方案，帮助客户满足不断增长的市场需求。”
未来，瑞萨将继续致力于优化 MRDIMMs 技术，为数据中心、AI 和 HPC 应用提供更加高效的内存解决方案，巩固其在内存接口市场中的领导地位，同时推动整个行业的技术升级与生态完善。
