在气候危机不断加剧和全球能源需求不断上升的需求背景下，各国政府和各行业都在致力于减少环境污染，以达到可持续发展的目标。而工业制造中减少环境污染的核心是向电气化过渡、减少碳排放和利用可再生能源。为了加速这一转变，位于美国的智能功率和传感技术公司安森美推出了其最新的碳化硅技术解决方案：EliteSiC M3e MOSFET。有消息称最新的EliteSiC M3e MOSFET已经开始提供采用行业标准TO-247-4L封装的样品。此外，安森美还透露该产品计划在2030年前推出多代产品。
在新品发布会上，安森美半导体解决方案集团总裁表示：“电气化的未来取决于先进的功率半导体。如果电力领域没有重大创新，当今的基础设施就无法满足世界对更智能和电气化出行的需求，这对于实现全球电气化和减缓气候变化的能力至关重要。”他还表示，安森美正在引领创新步伐，计划到2030年大幅提高碳化硅技术路线图中的功率密度，以满足日益增长的能源需求并实现全球向电气化的过渡。”
图：安森美推出最新EliteSiC M3e MOSFET（图源：安森美）
安森美表示其EliteSiC M3e MOSFET 将在以更低的每千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性方面发挥重要作用，影响电气化计划的采用和有效性。该平台能够在更高的开关频率和电压下工作，同时最大限度地减少功率转换损耗，适用于各种汽车和工业应用，如电动汽车动力系统、直流快速充电器、太阳能逆变器和储能解决方案。此外，安森美负责人还补充说，EliteSiC M3e MOSFET可以实现向更高效、更高功率的数据中心的过渡，以满足为可持续人工智能引擎提供动力的指数级增长的能源需求。
据悉，与前几代产品相比，EliteSiC M3e MOSFET 可将传导损耗降低30%，关断损耗可降低50%。通过延长SiC平面MOSFET的使用寿命，并借助EliteSiC M3e技术实现业界领先的性能。此外，安森美半导体还提供更广泛的智能电源技术组合，包括栅极驱动器、DC-DC 转换器和电子保险丝，以与 EliteSiC M3e 平台配合使用。安森美半导体端到端的优化、共同设计的电源开关、驱动器和控制器组合据称可通过集成实现高级功能，从而降低整体系统成本。
预计未来十年全球能源需求将会飙升，对提高半导体功率密度的需求至关重要。安森美半导体表示，其碳化硅发展路线图的创新——从芯片架构到新颖的封装技术——将继续满足整个行业对提高功率密度的需求。
随着每一代碳化硅的推出，单元结构都将得到优化，以有效地将更多的电流通过更小的面积，从而提高功率密度。安森美半导体表示，结合公司的封装技术，它将能够最大限度地提高性能并减小封装尺寸。安森美半导体表示，通过将摩尔定律的概念应用于碳化硅的开发，它可以同时开发多代产品，并加速其路线图，以更快的速度在 2030 年前将几款新的 EliteSiC 产品推向市场。
