有报道称，美国商务部与国家半导体技术中心（NSTC）的运营商Natcast宣布，首个“美国芯片”研究与开发（R&D）旗舰设施的预期地点已确定。名为“美国芯片极紫外（EUV）加速器”的NSTC设施预计将在纽约州阿尔巴尼的NY CREATES阿尔巴尼纳米技术综合体内运营，预计获得约8.25亿美元的联邦投资。EUV加速器将专注于推进最先进的EUV技术及相关研发。
作为拜登总统“投资美国”议程的重要组成部分，“美国芯片”项目旨在增强美国半导体供应链，加速领先的研发进程，并创造优质就业机会。该设施将汇集来自整个生态系统的NSTC成员，加速半导体研发和创新，提供必要的技术、能力和资源。
“通过这一首个提议的旗舰设施，‘美国芯片’将为NSTC提供前沿研究和工具，其启动标志着确保美国在创新和半导体研发领域保持全球领先地位的重要里程碑，”商务部长吉娜·雷蒙多表示。“‘美国芯片’和科学法案的研发部分对于我们的国家安全和确保美国在技术竞争中的领先地位至关重要。感谢拜登总统和哈里斯副总统，我们不仅在生产全球最先进的半导体，还在构建一个韧性强的生态系统，推动从智能手机到先进AI的各类技术，保障美国的国家安全，并使美国在未来数十年内保持竞争力。”
“拜登-哈里斯政府的这项8.25亿美元投资将巩固阿尔巴尼作为全球创业者、研究人员和工程师的顶尖半导体创新和研发中心，”国家经济顾问莱尔·布雷纳德表示。
EUV光刻技术对制造更小、更快、更高效的微芯片至关重要。随着半导体行业突破摩尔定律的极限，EUV光刻已成为实现超过7纳米晶体管大规模生产的关键技术。随着NSTC的发展，获取EUV光刻研发的机会对于实现其三大主要目标至关重要：1）延续美国的技术领先地位；2）缩短原型设计的时间和成本；3）建设和维持半导体人才生态系统。
图：美国NSTC计划（图源：NY Creates）
“自成立以来，NY CREATES在促进有效的公私合作方面拥有近20年的成功经验，投资超过250亿美元于半导体研发、制造和人才发展，充分具备支持NSTC的使命，为加速研究、缩短商业化时间、发展可持续的半导体生态系统提供开放环境，”商务部标准与技术局副部长、国家标准与技术研究所所长劳里·洛卡斯基奥表示。
“‘美国芯片’EUVA加速器彰显了我们在美国开发和推进下一代半导体技术的承诺，”Natcast首席执行官迪尔德·汉福德表示。“通过与NY CREATES的合作，Natcast和NSTC成员将能够使用至关重要的EUV光刻工具和工艺，推动更广泛的研究并加速明天技术的商业化。”
Natcast与NY CREATES，作为推动半导体研发和人才发展的非营利组织，计划为NSTC成员建立EUV加速器，以进行下一代半导体研究与开发。EUV加速器预计将在2025年初开始运营，使Natcast、NY CREATES和NSTC成员能够协同进行对加速创新半导体技术商业化至关重要的研发活动。EUV加速器的主要功能包括：
- 提供最先进的EUV光刻工具及下一代研发能力，包括高数值孔径（NA）EUV系统，标准NA EUV预计于2025年投入使用，高NA EUV则预计在2026年推出。
- 促进与行业、学术界和政府伙伴的合作，加速技术创新。
- 在现场设立专门的NSTC办公室，以支持Natcast和NSTC成员的研究工作。
- 支持培养和发展高素质人才的项目。
- 努力扩大NSTC的会员和参与度，同时促进开放、协作的研发环境，服务于所有NSTC设施。
“美国芯片”NSTC原型和国家先进封装制造计划（NAPMP）先进封装试点设施，以及“美国芯片”管理与设计设施仍在筹备中。商务部与Natcast预计将在未来几个月内公布关于选择附属技术中心的相关信息。
