近日，Nexperia公司官网宣布，推出业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，进一步扩展了其Sic MOSFET产品组合。它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
这款1200V SiC MOSFET具有多项显著优势。首先，它具有业界少有的低RDson漂移优势，这对于保持设备的长期稳定性至关重要。其次，该MOSFET具有超低阈值电压容差，其阈值电压为2.9V，正好处于安全工作范围内。此外，与类似的竞品器件相比，Nexperia的SiC阈值电压变化最低，即使在最坏的情况下也仅为1.2V，这确保了器件出色的平衡并联。
此外，这款MOSFET还具有低QG（栅极电荷）以及出色的QGD（栅极-漏极电荷）与QGS（栅极-源极电荷）电荷比。这些特性使得MOSFET能够提供低功耗、出色的稳健性和安全开关性能的优异组合。
图：Nexperia推出业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET
RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。
随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车(EV)充电（充电桩）、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系，两家公司联手将SiC宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。
这款1200 V SiC MOSFET的推出将满足电动汽车（EV）充电桩、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。RDS(on)是影响传导功率损耗的关键性能参数，而这款MOSFET的RDS(on)值选择丰富，能够满足不同应用的需求。
