Nexperia近日宣布，在其日益丰富的功率器件产品系列中，新增了两款新型理想二极管IC，分别为NID5100-Q100和NID5100。NID5100-Q100已经通过了汽车应用的认证，而NID5100则更适用于传统的工业和消费类电子产品。
这些理想二极管采用了先进的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，与传统二极管相比，它们在正向导通时的电压降显著降低。这一特性使得理想二极管在对功率效率有严格要求的应用中，成为标准二极管的优选替代品。
NID5100和NID5100-Q100两款理想二极管都采用了小巧的TSSP6/SOT363-2引脚塑料封装，尺寸仅为2.1毫米×1.25毫米×0.95毫米。NID5100以其卓越的电气特性，为智能电表、消防与安全传感器、电池供电的可穿戴设备以及汽车远程信息处理系统等多种应用带来了显著优势。
NID5100-Q100理想二极管相较于其他汽车级二极管，具备一些显著的优势，使其在汽车应用中更为出色：
汽车级认证：NID5100-Q100已经通过了汽车电子委员会（AEC）的AEC-Q100标准认证（Grade 1），这表明它符合汽车行业的严格质量和可靠性要求。
低正向压降：与传统肖特基二极管相比，NID5100-Q100具有更低的正向压降，其正向调节电压（VREG）典型值为31mV，这在功率效率至关重要的应用中是一个显著的优势。
低漏电流：在反向偏置时，NID5100-Q100展现出极低的漏电流，这有助于提高系统的效率和可靠性。
反向极性保护：NID5100-Q100内置了反向极性保护功能，这可以防止在电源电压反转的情况下对连接到输出引脚的组件造成损害。
系统灵活性：该理想二极管支持多种电源“OR”配置方案，包括两个或更多NID5100-Q100设备的组合、与传统肖特基二极管的组合，以及与外部PMOS的组合。
温度范围：NID5100-Q100的工作环境温度范围为-40°C至+125°C，这使得它能够在汽车中常见的极端温度条件下稳定工作。
小尺寸封装：NID5100-Q100采用标准TSSOP6 (SOT363-2)封装，尺寸为2.1 mm x 1.25 mm x 0.95 mm，与传统的低电流二极管相比，占用的PCB面积更小。
图：Nexperia推出新型二极管IC（图源：Nexperia）
NID5100是一款基于PMOS技术的理想二极管，其内部MOSFET的栅极电压能够将阳极和阴极间的电压差限制在一个极低的水平，大约只有同类额定值肖特基二极管正向压降的八到十分之一。除了超低的正向压降，基于MOSFET的理想二极管还具有极低的反向直流漏电流，与传统肖特基二极管相比，漏电流可减少高达100倍。
与市场上其他理想二极管相比，NID5100能够实现多电源以“OR”配置连接，同时提供反极性保护。它还拥有极快的响应时间，确保电源切换顺畅无感。Nexperia的这款理想二极管还具备多项额外优势，如31毫伏的典型正向压降、能够处理高达1.5安培的正向电流，以及在并联电源之间自动切换的能力。
NID5100的工作电压范围从1.2伏至5.5伏，电流消耗极低，在3.3伏输入电压下，关断电流仅为170纳安，静态电流为240纳安。此外，这款二极管还具备反向电压保护功能，其绝对最大额定反向电压为-6伏，并配备了输出状态指示（ST）。这些特性使得NID5100成为电源管理应用中一个可靠而高效的选择。
