Nexperia公司最近宣布了对其NextPower系列80V和100V MOSFET产品的扩展计划，推出了一系列新型LFPAK封装器件，尺寸包括行业标准的5×6毫米和8×8毫米。这些新型MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))和低反向电荷(Qrr)设计而著称，能够实现高效率和减少开关时的尖峰现象。它们适用于多种应用场景，包括服务器、电源、快速充电器、USB-PD、电信、电机控制以及工业设备等。
NextPower主要有以下特点：
低导通电阻(RDS(on))：新型MOSFET具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。
低反向电荷(Qrr)：通过优化设计，NextPower MOSFET减少了在开关过程中产生的尖峰，这有助于降低电磁干扰(EMI)。
高效率：低RDS(on)和低Qrr的设计使得这些MOSFET在开关时更加高效，减少了能量损耗。
减少EMI：由于低Qrr设计，这些MOSFET在开关时产生的电磁干扰较低，有助于提高产品的电磁兼容性(EMC)。
多种封装选项：提供5×6毫米和8×8毫米的LFPAK封装，满足不同应用场景的需求。
广泛的电压范围：设计人员可以从80V或100V的多种额定电压中选择，以适应不同的应用需求。
优化的RDS(on)范围：新型MOSFET的RDS(on)值覆盖从1.8 mΩ到15 mΩ，提供了广泛的选择范围。
未来产品规划：Nexperia计划推出新的LFPAK88 MOSFET，其在80V条件下提供更低的RDS(on)，以及将高功率密集型CCPAK1212封装纳入产品组合。
交互式数据表：Nexperia为工程师提供了访问其获奖的交互式数据表的选项，这些数据表提供了详尽且用户友好的器件行为信息，帮助设计人员更好地理解和使用这些MOSFET。
图：Nexperia推出多款新型LFPAK功率器件
在设计MOSFET时，许多制造商通常将重点放在最小化栅极电荷(QG(tot))和栅极漏极电荷(QGD)上，以提高开关效率。然而，Nexperia通过深入研究，认识到Qrr的重要性，因为它直接关系到开关时产生的尖峰，进而影响器件在开关过程中产生的电磁干扰(EMI)水平。
Nexperia通过特别关注Qrr参数，显著降低了NextPower 80/100V MOSFET在开关时产生的尖峰电平，从而减少了EMI的产生。这为最终用户带来了显著的优势，特别是在他们的产品需要通过电磁兼容性(EMC)测试时，避免了在最后阶段进行昂贵的修改和添加额外的外部组件。
与现有产品相比，Nexperia的新型MOSFET在导通电阻上实现了31%的降低。公司还计划在未来推出一款新的LFPAK88 MOSFET，其在80V条件下的RDS(on)低至1.2 mΩ。此外，Nexperia还计划将高功率密集型CCPAK1212封装加入其产品线。为了进一步支持工程师在设计和认证过程中的需求，Nexperia提供了访问其获奖的交互式数据表的选项，这些数据表提供了详尽且易于理解的器件行为信息。
