近日，荷兰的Nexperia宣布与日本三菱电机公司展开一项重要的战略合作。这次合作的重点是共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品，目的是提升这类宽禁带半导体的能效和性能。这一举措应对了市场对高效分立式功率半导体的迅速增长需求。
Nexperia在基础半导体器件的开发和生产领域享有盛誉，其产品广泛应用于汽车、工业、移动和消费电子等多个领域。它不仅是基础商用硅半导体的大型供应商，还是宽禁带器件的提供商。
与此同时，三菱电机以其在信息处理、通信、太空开发、消费电子等多个领域的高性能产品而闻名。它的功率半导体产品广泛应用于汽车、家用电器、工业设备等，已在日本高速新干线列车上得到应用，显示了其卓越的节能效果。
双方的合作被看作是利用各自的协同优势，以进一步推动碳化硅(SiC)技术的发展。随着新能源汽车等应用的快速普及，SiC市场需求持续高涨。
根据TrendForce集邦咨询的数据，2023年SiC功率元件市场的规模预计将达到22.8亿美元，年增长率为41.4%。预计到2026年，该市场规模将进一步扩大到53.3亿美元，其主要应用领域将继续聚焦在电动汽车和可再生能源上。
